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NPN晶體管是什么,NPN晶體管的工作原理與結(jié)構(gòu)介紹
2024-08-19
NPN晶體管是什么,NPN晶體管的工作原理與結(jié)構(gòu)介紹一、什么是NPN晶體管NPN晶體管是最常用的雙極結(jié)型晶體管，通過將P型半導(dǎo)體夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)
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怎么在不同VD的MCU之間進(jìn)行串口通信
2024-08-19
怎么在不同VD的MCU之間進(jìn)行串口通信先說一說這個(gè)電路的用途：當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作（如MCU1 工作電壓5V；MCU2 工作電壓3 3V）
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TVS二極管與齊納二極管的差異介紹
2024-08-19
TVS二極管與齊納二極管的差異介紹如圖2-6（a）所示，TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）在短時(shí)間內(nèi)吸收很高的過電壓，其作用是避免對(duì)其它半導(dǎo)體器
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功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理,特點(diǎn)與參數(shù)介紹
2024-08-19
功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理,特點(diǎn)與參數(shù)介紹功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一．功率場(chǎng)效應(yīng)管原理：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供
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反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法解析
2024-08-19
反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法解析反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過系統(tǒng)。來源： 1 MOSFET用于負(fù)載切
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AC DC逆變器電路圖介紹
2024-08-19
AC DC逆變器電路圖介紹這里介紹的逆變器（見圖）主要由MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS 場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的
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IGBT管的工作特性,IGBT管的選擇介紹
2024-08-17
IGBT管的工作特性,IGBT管的選擇介紹IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET
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怎么用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)
2024-08-17
怎么用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流
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MOS管與簡(jiǎn)單CMOS邏輯電平電路介紹
2024-08-17
MOS管與簡(jiǎn)單CMOS邏輯電平電路介紹現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。01 MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例
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cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用介紹
2024-08-17
cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用介紹ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ES
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4個(gè)NMOS組成的全橋驅(qū)動(dòng)電路介紹
2024-08-17
4個(gè)NMOS組成的全橋驅(qū)動(dòng)電路介紹我們常用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)有半橋驅(qū)動(dòng)和全橋驅(qū)動(dòng)，通常我們也會(huì)搭配我們的驅(qū)動(dòng)芯片和NMOS和PMOS來建立全橋和半橋驅(qū)
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怎么測(cè)試DC-DC的SW信號(hào)
2024-08-17
怎么測(cè)試DC-DC的SW信號(hào)對(duì)于絕大部分buck芯片而言其上下兩管都集成到芯片內(nèi)部，那么該如何觀測(cè)兩管的工作狀況呢？實(shí)際應(yīng)用中我們通過觀測(cè)上