近來，LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度遭到廣闊電源規(guī)劃工程師的喜愛，可是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿意這些需求并大大提高電源體系的可靠性。
長期以來，提高電源體系功率密度，功率以及體系的可靠性一直是研制人員面對(duì)的重要課題。提高電源的開關(guān)頻率是其間的辦法之一，可是頻率的提高會(huì)影響到功率器材的開關(guān)損耗，使得提高頻率對(duì)硬開關(guān)拓?fù)鋪碚f效果并不十分顯著，硬開關(guān)拓?fù)洮F(xiàn)已達(dá)到了它的規(guī)劃瓶頸。
1、Coolmos選型
一般選擇一顆MOS大致看以下幾個(gè)參數(shù)BVIdRdsVthQgPd等?？墒沁@幾個(gè)參數(shù)，只要Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動(dòng)態(tài)參數(shù)，其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A，或許125度的時(shí)分，電流只要50A，所以選型的時(shí)分要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流，剩余就是看Coolmos的損耗了。Coolmos在外表的是Rdson較低，只要平面管的1/3或者1/4，那MOS的導(dǎo)通損耗必定較之平面管要低不少。MOS的別的一個(gè)損耗，開關(guān)損耗其實(shí)往往愈加占主導(dǎo)。開關(guān)損耗在MOS里最直接表現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最中心的參數(shù)。從coolmos的開展來看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外，他是C3的Costdown)。你是電源規(guī)劃者，Trr的合理運(yùn)用，你比我清楚。Coolmos在實(shí)踐使用中，MOS前段的Rg驅(qū)動(dòng)，一般對(duì)電阻要求會(huì)低許多。這也能下降損耗。舉個(gè)比如，20N60C3MOS前段的驅(qū)動(dòng)電阻一般可做到15mohm以下，可是也不是越低越好，開關(guān)越高，EMI的問題就出來了。所以驅(qū)動(dòng)電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，盡量下降驅(qū)動(dòng)電阻。
2.Coolmos選用散熱辦法
只能說要看功率，舉個(gè)比如，150W的LED電源上，你覺得能夠不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有當(dāng)?shù)孛?Coolmos，在使用端，處理了有的電源計(jì)劃需求電子器材更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上垂青Coolmos的仍是他能下降損耗，所以散熱片是一定要加的。
3.Coolmos使用
現(xiàn)在在國內(nèi)使用仍是十分片面的，任重而道遠(yuǎn)。舉個(gè)比如，在一個(gè)70W的筆記本適配器上，許多仍是用的20A的平面管(或者是16A)，可是我們知道實(shí)踐電路里的有用電流其實(shí)很小，用20A僅僅垂青他的低內(nèi)阻，下降損耗，下降溫升。如果運(yùn)用Coolmos，以為還需求16A的，那平等電流，價(jià)格必定不可比的。其實(shí)呢，Coolmos10A滿足去代替了。開關(guān)損耗，Coolmos要較平面管低許多，內(nèi)阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會(huì)高多少，在高溫下，根本內(nèi)阻是共同的。(有機(jī)會(huì)發(fā)個(gè)試驗(yàn)數(shù)據(jù)，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內(nèi)阻是相差不多的條件，帶負(fù)載，表現(xiàn)開關(guān)損耗低的特色)。
4.總結(jié)
MOS在開展，損耗會(huì)越來越低。電源計(jì)劃只會(huì)像更高功率和更小體積開展。
Coolmos的主旨是尋求：開關(guān)最低損耗。在Coolmos上，是經(jīng)過P柱，構(gòu)成更大的PN結(jié)，然后下降Rds。可是就好像你講的，Coolmos，下降了Rds，所以他的EAS才能較之平面管要低，這也對(duì)電源規(guī)劃者提出了更高的要求。可是我們都知道，能用得起Coolmos的電源，根本稱之為高級(jí)電源，那計(jì)劃的規(guī)劃必定是精雕細(xì)鏤的。
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