MOSFET構(gòu)造,從縱剖面來看,柵極(柵區(qū))、源極(源區(qū))、漏極(漏區(qū))大致排列在同不斷線上,這樣的構(gòu)造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構(gòu)造。同時,柵極,精確一點說是“柵區(qū)”與漏區(qū)、源區(qū)的分界面大致也是平面狀的,這種柵極構(gòu)造稱為平面柵極(Planar Gate)構(gòu)造。
上述構(gòu)造的優(yōu)點是結(jié)電容小,比擬合適于高頻小功率應(yīng)用,缺乏之處是源極與漏極相距比擬遠,導(dǎo)電溝道的寬度有限,不太合適于功率應(yīng)用。“凹槽。形的“槽柵”(Trench Gate)構(gòu)造可以增加?xùn)艆^(qū)與源區(qū)和漏區(qū)的接觸面積,增加對電流的控制才能。垂直溝道構(gòu)造是將源極與漏極配置在柵極的-側(cè),漏極與源極則是相向排列,這樣的溝道構(gòu)造縮短了溝道長度,合適于大電流應(yīng)用。
功率MOS場效應(yīng)管大都采用“垂直”溝道和“槽柵”構(gòu)造,合起來簡稱“溝槽柵”結(jié)構(gòu)。電子顯微鏡下的照片以顯現(xiàn)兩種溝道和柵極構(gòu)造的主要區(qū)別(圖1.14)。
TMOS (TrenchMOS)的稱號固然指的是槽柵構(gòu)造的MOSFET,但由于槽柵與垂直溝道常常是同時應(yīng)用的,因而它也同時指垂直溝道構(gòu)造,即“溝槽柵。構(gòu)造的功率MOSFET。
最先應(yīng)用的槽柵構(gòu)造的剖面外形與英文字母“v”很類似(圖1. 15),VMOS的最初稱號就是由此而來,它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的縮寫,曾經(jīng)簡稱為“VVMOS”,至今依然可以在一些公開的材料中見到。這種依據(jù)柵極(柵區(qū))的剖面外形停止的技術(shù)命名辦法也被沿用了下來,以后陸續(xù)呈現(xiàn)了UMOS、πMOS等
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