什么是power mosfet
power mosfet，中文是電力場效應晶體管的意思。電力場效應晶體管分為兩種類型，結型和絕緣柵型，但通常所說的是絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET）。
P-MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流，它的顯著特點是驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高；但是其電流容量小，耐壓低，只用于小功率的電力電子裝置，其工作原理與普通MOSFET一樣
特性
power mosfet的主要特性如下：power mosfet靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉移特性, 與靜態(tài)特性對應的主 要參數(shù)有漏極擊穿電壓,漏極額定電壓,漏極額定電流和柵極開啟電壓等.
1、靜態(tài)特性
(1) 輸出特性 輸出特性即是漏極的伏安特性.特性曲線,如圖 2(b)所示.由圖所見,輸出 特性分為截止,飽和與非飽和 3 個區(qū)域.這里飽和,非飽和的概念與 GTR 不同. 飽和是指漏極電流 ID 不隨漏源電壓 UDS 的增加而增加,也就是基本保持不變;非 飽和是指地 UCS 一定時,ID 隨 UDS 增加呈線性關系變化.
(2) 轉移特性 轉移特性表示漏極電流 ID 與柵源之間電壓 UGS 的轉移特性關系曲線, 如圖 2(a) 所示. 轉移特性可表示出器件的放大能力, 并且是與 GTR 中的電流增益 β 相似. 由于power mosfet是壓控器件,因此用跨導這一參數(shù)來表示.跨導定義為 (1) 圖中 UT 為開啟電壓,只有當 UGS=UT 時才會出現(xiàn)導電溝道,產生漏極電流 ID
2、動態(tài)特性
動態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時間關系,它影響器件的開關過程.由于該器件為單極型,靠多數(shù)載流子導 電,因此開關速度快,時間短,一般在納秒數(shù)量級.
power mosfet的動態(tài)特性.如圖所示.
power mosfet柵極電阻;RL 為漏極負載電阻;RF 用以檢測漏極 電流.power mosfet的開關過程波形,如圖 3(b)所示. power mosfet的開通過程:由于 Power MOSFET 有輸入電容,因此當脈 沖電壓 up 的上升沿到來時,輸入電容有一個充電過程,柵極電壓 uGS 按指數(shù)曲線 上升.當 uGS 上升到開啟電壓 UT 時,開始形成導電溝道并出現(xiàn)漏極電流 iD.從 up 前沿時刻到 uGS=UT,且開始出現(xiàn) iD 的時刻,這段時間稱為開通延時時間 td(on).此 后,iD 隨 uGS 的上升而上升,uGS 從開啟電壓 UT 上升到power mosfet臨近飽和區(qū) 的柵極電壓 uGSP 這段時間,稱為上升時間 tr.這樣power mosfet的開通時間
ton=td(on)+tr(2)
power mosfet 的關斷過程:當 up 信號電壓下降到 0 時,柵極輸入電容上儲 存的電荷通過電阻 RS 和 RG 放電,使柵極電壓按指數(shù)曲線下降,當下降到 uGSP 繼 續(xù)下降,iD 才開始減小,這段時間稱為關斷延時時間 td(off).此后,輸入電容繼續(xù) 放電,uGS 繼續(xù)下降,iD 也繼續(xù)下降,到 uGST 時導電溝道消失,iD=0, 這段時間稱為下降時間 tf.這樣 Power MOSFET 的關斷時間
toff=td(off)+tf (3)
從上述分析可知,要提高器件的開關速度,則必須減小開關時間.在輸入電 容一定的情況下,可以通過降低驅動電路的內阻 RS 來加快開關速度. 電力場效應管晶體管是壓控器件,在靜態(tài)時幾乎不輸入電流.但在開關過程 中,需要對輸入電容進行充放電,故仍需要一定的驅動功率.工作速度越快,需 要的驅動功率越大。
主要參數(shù)
power mosfet的主要參數(shù)
除跨導Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有：
(1)漏極電壓UDS——電力MOSFET電壓定額
(2)漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額
(3)柵源電壓UGS—— UGS>20V將導致絕緣層擊穿 。
(4)極間電容——極間電容CGS、CGD和CDS
間加正向電壓使N型半導體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā)，經過溝道到達漏極形成漏極電流ID。
power mosfet結構、原理、正向導通解析
所謂功率MOS就是要承受大功率，換言之也就是高電壓、大電流。我們結合一般的低壓MOSFET來講解如何改變結構實現(xiàn)高壓、大電流。
1) 高電壓：一般的MOSFET如果Drain的高電壓，很容易導致器件擊穿，而一般擊穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)，所以要解決高壓問題必須堵死這三端。Gate端只能靠場氧墊在Gate下面隔離與漏的距離(Field-Plate)，而Bulk端的PN結擊穿只能靠降低PN結兩邊的濃度，而最討厭的是到Source端，它則需要一個長長的漂移區(qū)來作為漏極串聯(lián)電阻分壓，使得電壓都降在漂移區(qū)上就可以了。
2) 大電流：一般的MOSFET的溝道長度有Poly CD決定，而功率MOSFET的溝道是靠兩次擴散的結深差來控制，所以只要process穩(wěn)定就可以做的很小，而且不受光刻精度的限制。而器件的電流取決于W/L，所以如果要獲得大電流，只需要提高W就可以了。
雖然這樣的器件能夠實現(xiàn)大功率要求，可是它依然有它固有的缺點，由于它的源、柵、漏三端都在表面，所以漏極與源極需要拉的很長，太浪費芯片面積。而且由于器件在表面則器件與器件之間如果要并聯(lián)則復雜性增加而且需要隔離。
所以后來發(fā)展了VDMOS(Vertical DMOS)，把漏極統(tǒng)一放到Wafer背面去了，這樣漏極和源極的漂移區(qū)長度完全可以通過背面減薄來控制，而且這樣的結構更利于管子之間的并聯(lián)結構實現(xiàn)大功率化。但是在BCD的工藝中還是的利用LDMOS結構，為了與CMOS兼容。
再給大家講一下VDMOS的發(fā)展及演變吧，最早的VDMOS就是直接把LDMOS的Drain放到了背面通過背面減薄、Implant、金屬蒸發(fā)制作出來的(如下圖)，他就是傳說中的Planar VDMOS，它和傳統(tǒng)的LDMOS比挑戰(zhàn)在于背面工藝。但是它的好處是正面的工藝與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，所以它還是有生命力的。但是這種結構的缺點在于它溝道是橫在表面的，面積利用率還是不夠高。
再后來為了克服Planar DMOS帶來的缺點，所以發(fā)展了VMOS和UMOS結構。他們的做法是在Wafer表面挖一個槽，把管子的溝道從原來的Planar變成了沿著槽壁的vertical，果然是個聰明的想法。但是一個餡餅總是會搭配一個陷阱(IC制造總是在不斷trade-off)，這樣的結構天生的缺點是槽太深容易電場集中而導致?lián)舸夜に囯y度和成本都很高，且槽的底部必須絕對rouding，否則很容易擊穿或者產生應力的晶格缺陷。但是它的優(yōu)點是晶飽數(shù)量比原來多很多，所以可以實現(xiàn)更多的晶體管并聯(lián)，比較適合低電壓大電流的application。
power mosfet注意事項
1、防止靜電擊穿
防止靜電擊穿時應注意：
(1)在MOSFET測試和接人電路之前，應存放在靜電包裝袋、導電材料或金屬容器中，不能放在塑料盒或塑料袋中。取用時應拿管殼部分而不是引線部分。工作人員需通過腕帶良好接地。
(2)將MOSFET接入電路時，工作臺和烙鐵都必須良好接地，焊接時電烙鐵功率應不超過25W，最好是用內熱式烙鐵。先焊柵極，后焊漏極與源極。
(3)在測試MOSFET時，測量儀器和工作臺都必須良好接地，并盡量減少相同儀器的使用次數(shù)和使用時間，從而盡快作業(yè)。MOsFET的三個電極未全部接入測試儀器或電路前．不要施加電壓。改換測試范圍時，電壓和電流都必須先恢復到零。
(4)注意柵極電壓不要過限。有些型號的電力MOSFET內部輸入端接有齊納保護二極管，這種器件柵源間的反向電壓不得超過0．3V，對于內部未設齊納保護：極管的器件，應在柵源同外接齊納保護二極管或外接其他保護電路。
(5)使用MOSFET時，盡最不穿易產生靜電荷的服裝(如尼龍服裝)。
(6)在操作現(xiàn)場，要盡量回避易帶電的絕緣體(特別是化學纖維和靼料易帶電)和使用導電性物質。例如：導電性底板、空氣離子化增壓器等，并避免操作現(xiàn)場放置易產生靜電的物質，保證操作現(xiàn)場濕度適當。當濕度過高時，可采取加溫措施，正確的操作現(xiàn)場防靜電措施。
2、防止偶然性振蕩損壞器件
電力MOSFET在與測試儀器、接插盒等儀器的輸入電容、輸入電阻匹配不當時，可能出現(xiàn)偶然性振蕩，造成器件損壞。因此，在用圖示儀等儀器測試時，在器件的柵極端子處接lOkfl串聯(lián)電阻，也可在柵源問外接約0．5妒的電容器。
(1)場效應晶體管互導大小與工作區(qū)有關，電壓越低則越高。
(2)結型場效應晶體管的豫、漏極可以互換使用。
(3)絕緣柵型場效應晶體管．在柵極開路時極易受周圍磁場作用，會產生瞬問高電壓使柵極擊穿。故在存放時，應將三個引腳短路，防止靜電感應電荷擊穿絕緣柵。
(4)工作點的選擇，應不得超過額定漏源電壓、柵源電壓、耗散功率及最大電流所允許的數(shù)值。
(5)測試絕緣柵場效應晶體管時，測試儀器應良好接地，以免擊穿柵極。
(6)需采取防潮措施，防止由于輸入阻抗下降造成場效應晶體管性能惡化。
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