P溝道m(xù)osfet工作原理
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為銜接源極和漏極的溝道。改動?xùn)艍嚎梢愿膭訙系乐械碾娮用芏龋瑥亩膭訙系赖碾娮?。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上恰當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道m(xù)osfet的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道m(xù)osfet。此外，P溝道m(xù)osfet閾值電壓的絕對值普通偏高，懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。P溝道m(xù)osfet因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)呈現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價錢低價，有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，固然PMOS可以很便當?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價錢貴，交流種類少等緣由，在高端驅(qū)動中，通常還是運用NMOS。
P溝道MOS管工作原理的特性
正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負。
1．Ｖds≠Ｏ的情況導(dǎo)電溝道構(gòu)成以后，ＤＳ間加負向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加．Ｉd沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄．當Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現(xiàn)預(yù)夾斷．
2．導(dǎo)電溝道的構(gòu)成（Ｖds＝0）當Vds=0時，在柵源之間加負電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，Ｎ型半導(dǎo)體中的多子電子被負電荷排斥向體內(nèi)運動，表面留下帶正電的離子，構(gòu)成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負電壓的增加，耗盡層加寬，當Vgs增大到一定值時，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個Ｐ型薄層，稱反型層，這個反型層就構(gòu)成漏源之間的導(dǎo)電溝道，這時的Ｖgs稱為開啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應(yīng)的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣我們可以用Vgs的大小控制導(dǎo)電溝道的寬度。
增強型P溝道m(xù)osfet開關(guān)條件
p溝道m(xù)osfet作為開關(guān)使用時，是由Vgs的電壓值來控制S（source源極）和 D（drain漏極）間的通斷。
Vgs的最小閥值電壓為：0.4v，也就是說當 S（source源極）電壓 — G（gate柵極）極 > 0.4V 時， 源極 和 漏極導(dǎo)通。
并且Vs = Vd ，S極電壓等于D極電壓。
例如：S極 為 3.3V，G極 為0.1V，則 Vgs = Vg — Vs = -3.2 pmos管導(dǎo)通，D極電壓為3.3V
一般pmos管當做開關(guān)使用的時，S極和D極之間幾乎沒有壓降。
在實際使用中，一般G極接MCU控制管腳，S極接電源正極VCC，D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下：
RF_CTRL為低電平的時候，RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為VDD。
下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開關(guān)使用電路：
電路分析如下：
pmos的開啟條件是VGS電壓為負壓，并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓，一般小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右，假設(shè)電池充滿電，電壓為4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是導(dǎo)通的，電路是沒有問題的。當5V電壓時，G極的電壓為5V，S極的電壓為5VV-二極管壓降（0.5左右）=4.5V，PMOS管關(guān)段，當沒有5V電壓時，G極電壓下拉為0V，S極的電壓為電池電壓（假設(shè)電池充滿電4.2V）-MOS管未導(dǎo)通二極管壓降（0.5V）=3.7，這樣PMOS就導(dǎo)通，二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導(dǎo)通對負載供電。在這里用一個肖特基二極管（SS12）也可以解決這個問題，不過就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管，PMOS管完全導(dǎo)通，內(nèi)阻比較小，優(yōu)與肖特基，幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大，驅(qū)動PMOS不需要電流的，只要電壓達到就可以了，可以使用大電阻，減少工作電流，推薦使用10K-100K左右的電阻。
p溝道m(xù)osfet參數(shù)
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注：這里只列出了部分型號，需咨詢更多型號及參數(shù)參考資料，請聯(lián)系我們！
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