1、 方案央求
1）使用TL431（精密電壓基準）和IRF640（MOS管）方案一個大功率可調(diào)線性穩(wěn)壓電源。 2）輸入選用24V變壓器，前級線圈接市電220V。
3）輸出電壓在DC2.5～24V之間可調(diào)，（最大電流6A，與變壓器功率也有聯(lián)絡(luò)）。
3、 原理簡介
溝通220V經(jīng)過變壓器T1、整流橋BR、濾波電容C3進行降壓、整流、濾波；C1、C2、D1、D2、R1構(gòu)成倍壓電路，為TL431（精密電壓基準）供給工作電壓；場效應(yīng)管IRF640作調(diào)整管；TL431、C4構(gòu)成基準電壓電路；三極管9013、R2構(gòu)成限流維護電路；R4、RP1、 R3構(gòu)成分壓采樣電路；C5是后級濾波電容。
穩(wěn)壓進程如下：當輸出電壓添加時，UO↑→UR(TL431)↑→Uk(TL431)↓→R2-3(IRF640)↑→
U2-3(IRF640)↑→UO↓;
限流維護進程如下：當電流大于6A時，UR2≥0.6V，此刻9013導通，致使調(diào)整管IRF640 漏極-源極短路，連續(xù)輸出電壓，然后起到限流維護的效果。
IC的開關(guān)頻率是520K,開關(guān)管{MOS管}選用沒有反康復時間的肖特基或超快康復二極管（35nS以下）。
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描寫了集成電路中MOS管的構(gòu)造，即：在一定構(gòu)造的半導體器材上，加上二氧化硅和金屬，構(gòu)成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在大都情況下，兩個區(qū)是相同的，即便兩頭對調(diào)也不會影響器材的功用,這么的器材被認為是對稱的。
開關(guān)原理圖：
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