mos管的電路符號詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
MOS管的電路符號
MOS管的電路符號會有多種變化，電路中最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，有時也會將代表通道的直線以破折線代替，主要用于區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET或是耗盡型MOSFET。
集成電路芯片上的MOS管為四端元件，除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極，所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。
MOS管和晶體管的應(yīng)用區(qū)別及優(yōu)勢
MOS管是可以控制電壓的元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。
MOS管主要利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上，因此MOS管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
場效應(yīng)管電路圖符號識圖
場效應(yīng)管電路圖符號，在電路圖中它常用
表示，關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，由于根據(jù)使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同;我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強(qiáng)型 的場效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號：
場效應(yīng)管電路圖符號仔細(xì)看看你會發(fā)現(xiàn)，這兩個圖似乎有差別，對了，這實際上是兩種不同的增強(qiáng)型場效應(yīng)管，第一個那個叫N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，第二個那個叫P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應(yīng)管是用電控制的開關(guān)，那么我們就先講一下怎么使用它來當(dāng)開關(guān)的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳，這三個腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子:
1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關(guān)斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關(guān)斷(高電位)，去掉電壓(低電位)就相通了!