靜電不能被消除，只能被控制。
控制ESD的基本方法：
堵;
從機(jī)構(gòu)上做好靜電的防護(hù)，用絕緣的材料把PCB板密封在外殼內(nèi)，不論有多少靜電都不能到釋放到PCB上。
導(dǎo);
有了ESD，迅速讓靜電導(dǎo)到PCB板的主GND上，可以消除一定能力的靜電。
對(duì)于非金屬外殼或有金屬背板的產(chǎn)品我來(lái)分析一下ESD問(wèn)題;
重點(diǎn)分析非金屬外殼的內(nèi)部電路及PCB的ESD的設(shè)計(jì);
參考如下結(jié)構(gòu)：(注意有的產(chǎn)品內(nèi)部含有金屬背板)
對(duì)于有穿過(guò)電路板PCB的干擾：
(電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合都存在系統(tǒng)無(wú)接地!)
一方面我們要規(guī)劃干擾在PCB上的路徑(注意這是在電路板-PCB布局布線(xiàn)是需要提前規(guī)劃的);另一方面要盡量控制干擾的幅度。
注意有些產(chǎn)品外殼是非金屬結(jié)構(gòu);但系統(tǒng)內(nèi)部為了產(chǎn)品的強(qiáng)度或者是為了應(yīng)對(duì)EMC設(shè)計(jì)的需求會(huì)有金屬背板的設(shè)計(jì)!我們還要注意以下ESD路徑;
進(jìn)行分析：干擾電流為何會(huì)穿越PCB?
一定是PCB電路板一邊的接口及連接線(xiàn)，輸入I/O接口及連接線(xiàn)引入了干擾，或者如上述產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)搭接&孔縫!干擾從內(nèi)部電路，功能單元，系統(tǒng)走線(xiàn)流向大地!(系統(tǒng)參考接地板)如上面的兩圖示路徑!
絕大多數(shù)情況下，PCB電路板多邊有接口及連接線(xiàn)是常見(jiàn)情況;接口及連接線(xiàn)多，就會(huì)有測(cè)試整改難度的提高，無(wú)論系統(tǒng)有多復(fù)雜我們還是有對(duì)策的!
首先逐一插拔接口及連接線(xiàn)，看看拔掉哪個(gè)接口或連接線(xiàn)可以提高抗擾度。
如果可以找得到影響抗擾度的連接線(xiàn)或接口，我們可以直接跨接巧妙的運(yùn)用電容，把干擾旁路掉!這也是一種措施;在電路設(shè)計(jì)時(shí)我是推薦應(yīng)用的!
在對(duì)應(yīng)導(dǎo)線(xiàn)上套磁環(huán)可以減小干擾電流，也是措施之一。(我常用這種方法來(lái)指導(dǎo)客戶(hù)進(jìn)行問(wèn)題的判斷和分析!)
如果插拔接口或連接線(xiàn)沒(méi)有明確的發(fā)現(xiàn)，就要規(guī)劃干擾路徑也就避免或者減少流經(jīng)敏感電路的干擾電流，例如避免干擾電流流經(jīng)CPU/MCU&控制電路及晶振(振蕩器布局布線(xiàn)!)電路等;如上圖所示!
對(duì)于CPU/MCU，盡量使引腳處于高阻狀態(tài)，阻止干擾電流流入!
CPU/MCU的輸出引腳，要串電阻并旁路電容，切不可引腳直通外部電路!
即便沒(méi)有干擾信號(hào)，引腳直通也是不合理的，易引起CPU/MCU的故障損壞!
ESD引起的復(fù)位分析!
注意，看門(mén)狗復(fù)位也會(huì)導(dǎo)致軟件重啟機(jī)復(fù)位!
硬件復(fù)位主要是兩個(gè)源頭：
A.電源電壓過(guò)低，CPU內(nèi)部電路產(chǎn)生了一個(gè)復(fù)位信號(hào);
B.復(fù)位引腳上有一個(gè)復(fù)位脈沖信號(hào)注入。
1.CPU/MCU電源線(xiàn)布線(xiàn)合理，退耦電容適當(dāng)布置，依靠ESD耦合過(guò)來(lái)的這點(diǎn)能量拉動(dòng)電源到復(fù)位電平的可能性比較小，不作優(yōu)先考慮。
2.復(fù)位引腳有干擾的情況比較多出現(xiàn)，優(yōu)先考慮。
注意點(diǎn)：
a)復(fù)位電路引線(xiàn)是否過(guò)長(zhǎng);
b)復(fù)位電路是否形成大環(huán)路;
c)芯片復(fù)位引腳是否接一個(gè)小電容到就近接地;
d)復(fù)位信號(hào)有沒(méi)有供其他芯片使用;
e)有沒(méi)有用專(zhuān)用復(fù)位芯片設(shè)計(jì)等等;
布局得當(dāng)就不太容易產(chǎn)生硬復(fù)位，相對(duì)與重啟機(jī)還是比較容易處理的。
如果是a、b問(wèn)題，則在輻射抗擾度測(cè)試時(shí)也會(huì)產(chǎn)生復(fù)位。
基本措施：
靠近CPU復(fù)位引腳切斷復(fù)位信號(hào)線(xiàn)串1～10KΩ電阻，復(fù)位引腳對(duì)地就近并1～10nF電容。相對(duì)來(lái)說(shuō)，直接硬復(fù)位干擾還是比較容易處理的。
軟件方面：
需要確定的系統(tǒng)MCU/CPU-I/0口或控制信號(hào)受干擾引起誤動(dòng)作的情況。
由于ESD是瞬態(tài)干擾，持續(xù)時(shí)間非常短，重復(fù)讀取控制信號(hào)狀態(tài)基本上就可以排除干擾。注意增加的濾波電路也有可能起反作用的;例外情況：磁珠與電容組合會(huì)展寬干擾電平，需要增加信號(hào)確認(rèn)時(shí)間，對(duì)于需要快速響應(yīng)的程序就要好好考慮一下!
A.確定的某個(gè)模擬量信號(hào)受干擾引起誤動(dòng)作的情況;先用硬件的方法進(jìn)判斷。
由于ESD是瞬態(tài)干擾，數(shù)字濾波程序運(yùn)用排除最大最小值的辦法就可以排除干擾。
同樣，濾波電路會(huì)展寬干擾信號(hào)，造成連續(xù)采到幾個(gè)干擾信號(hào)，不能全部排除。
B.干擾引起硬復(fù)位的情況。主要有兩種情況會(huì)讓CPU/MCU復(fù)位，一個(gè)是復(fù)位引腳受干擾，另一個(gè)是電壓下降使上電判斷電路產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。
這些相對(duì)比較容易處理，增加電阻電容濾波、合理布線(xiàn)基本上可以解決問(wèn)題。
C.比較難處理的是死機(jī)或者死機(jī)引起的看門(mén)狗復(fù)位。
可能是任何引腳引入干擾的干擾，需要逐一排除，由于很少是單一引腳引入干擾，處理起來(lái)比較麻煩，如果結(jié)構(gòu)上或者外圍電路上沒(méi)有有效措施，電路板PCB布局布線(xiàn)重新做的可能性較大。PCB的關(guān)鍵問(wèn)題點(diǎn)：過(guò)大的環(huán)路面積造成問(wèn)題!!
D.軟件敏感性，引腳阻抗Flash芯片寫(xiě)操作;ESD脈沖短，脈沖串也不長(zhǎng)，未必與軟件敏感狀態(tài)重疊，所以測(cè)試驗(yàn)證時(shí)要充分考慮這些情況。硬件設(shè)計(jì)可以提高干擾強(qiáng)度，一定要注意軟件敏感環(huán)節(jié)。
電路板PCB干擾機(jī)理分析
1.金屬構(gòu)件是否會(huì)產(chǎn)生交大dv/dt，并耦合到臨近的敏感電路;
2.檢驗(yàn)放電通路是否由于寄生電感因di/dt產(chǎn)生感性耦合到敏感電路;
3.ESD通常是同時(shí)存在dv/dt及di/dt，一般dv/dt更容易產(chǎn)生耦合;
4.共模電流預(yù)規(guī)劃措施不佳，讓較多共模干擾電流流經(jīng)敏感電路;
5.敏感電路對(duì)地有較低共模阻抗，使較大共模干擾電流經(jīng)由敏感電路流向地。
流經(jīng)敏感電路的共模干擾電流不會(huì)消失，它同樣還要流回地，任何從敏感電路引出的導(dǎo)線(xiàn)都有可能是流經(jīng)敏感電路的干擾電流流回地的途徑;
6.共模干擾電流在敏感電路產(chǎn)生差模才會(huì)引起干擾，敏感電路有較大的阻抗不平衡，使流經(jīng)的共模干擾電流產(chǎn)生了差模電壓;
7.受干擾器件引腳阻抗過(guò)高;
8.器件受擾動(dòng)作閾值過(guò)低;
9.振蕩器電路工作異常;軟件沒(méi)有能夠分離處理好瞬態(tài)干擾信號(hào)(或者是軟件算法有問(wèn)題);
對(duì)于系統(tǒng)為非金屬外殼的電子產(chǎn)品或者設(shè)備;靜電ESD對(duì)產(chǎn)品的裸露的金屬部分進(jìn)行接觸放電同時(shí)對(duì)結(jié)構(gòu)的縫隙進(jìn)行非常高電壓的(>16KV)的空間放電時(shí);系統(tǒng)內(nèi)部就會(huì)是電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合都存在復(fù)雜環(huán)境;走線(xiàn)環(huán)路面積是關(guān)鍵!!
我們要重點(diǎn)關(guān)注關(guān)鍵信號(hào)線(xiàn)的走線(xiàn)及環(huán)路面積的問(wèn)題;如下圖說(shuō)明：
PCB與外部產(chǎn)生電磁場(chǎng)耦合
磁場(chǎng)： u0= 4Л*10^-7 感應(yīng)電壓計(jì)算：磁場(chǎng) & 電場(chǎng)
V=S× u0 ×ΔH/Δt
H=I/(2 × Л ×D )
電場(chǎng)：
V=S× E × FMHZ /48電場(chǎng)下的頻率
我來(lái)進(jìn)行一下實(shí)際的數(shù)據(jù)計(jì)算分析：如下圖
A.電場(chǎng)問(wèn)題!參數(shù)實(shí)例說(shuō)明
è環(huán)路面積=20cm^2 測(cè)試場(chǎng)電壓為30V/m@150MHZ， 估算感應(yīng)電壓?
V=0.0020*30*150/48
V=200mV
B.磁場(chǎng)問(wèn)題!ESD-靜電放電的場(chǎng)影響
è環(huán)路面積=2cm^2 離ESD測(cè)試電流(30A)的距離=50cm ， Δt=1ns
H=I/(2 ×Л ×D )估算感應(yīng)電壓?
Δt=1ns ， H=I/(2×Л×D) =30/(2* Л *0.5)=10A/m
V=0.0002*4*Л*10^-7 * 10/(1*10^-9)
V=2.5V!
結(jié)論：無(wú)接地系統(tǒng)對(duì)應(yīng)強(qiáng)干擾環(huán)境PCB的布局布線(xiàn)的環(huán)路面積是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵!!
電路板PCB干擾-ESD對(duì)策分析措施
A.考慮到dv/dt是源頭，可以?xún)?yōu)化金屬構(gòu)件接地性能降低dv/dt，增加金屬構(gòu)件連接處緊固件數(shù)量、增加導(dǎo)線(xiàn)數(shù)量直徑縮短長(zhǎng)度、貼膜等有一些作用。
以500V為單位，進(jìn)行測(cè)試，看看敏感放電電壓有沒(méi)有變化，并進(jìn)行測(cè)試分析;
有較大改善則進(jìn)一步增加措施，直到模擬出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
B.增加耦合距離減少耦合電容增加耦合阻抗，主要是比較貼近金屬構(gòu)件的導(dǎo)線(xiàn)、過(guò)于靠近金屬構(gòu)件的PCB走線(xiàn)。約束導(dǎo)線(xiàn)使之遠(yuǎn)離金屬構(gòu)件、插入聚四氟乙烯片、插入獨(dú)立屏蔽保護(hù)等可以達(dá)到一些效果。
C.分析共模干擾電流的路徑，增加敏感線(xiàn)路對(duì)共模干擾電流的阻抗，疏導(dǎo)共模干擾電流繞過(guò)敏感電路。實(shí)際措施一般就是串電阻并電容，電容一端一般連接到最近的地(也有連接到其他地方更好的情況)。
D.增加敏感電路對(duì)地共模阻抗降低敏感電路分流的共模干擾電流。
整理一下接口連接線(xiàn)，初步判斷哪些對(duì)地阻抗比較低。一般來(lái)說(shuō)，電源線(xiàn)對(duì)地阻抗比較低，套磁環(huán)是一個(gè)增加阻抗的方法。有比較多接口及連接線(xiàn)的情況下，增加電源線(xiàn)阻抗并不一定有效，甚至起反作用。
在其它控制/檢測(cè)連接出線(xiàn)上重復(fù)套磁環(huán)(小電流線(xiàn)可以考慮用電阻)，測(cè)試改善效果。(推薦使用這種方法來(lái)進(jìn)行測(cè)試和改善!)
重點(diǎn)IC的干擾分析受干擾的部位已明確到具體的芯片引腳!!
例如：已知芯片的某個(gè)引腳上有信號(hào)變化，引起設(shè)備誤動(dòng)作。
對(duì)策措施
A.加強(qiáng)該引腳抗干擾措施，靠近引腳加對(duì)地旁路電容，干擾源阻抗較低的情況下需要串電阻;
B.對(duì)瞬態(tài)突變的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行軟件濾波。
C.疏通敏感芯片各引腳(或者電路區(qū)域的進(jìn)出線(xiàn))的對(duì)地連接，讓干擾電流繞過(guò)芯片(敏感電路)，主要措施是旁路電容這同時(shí)有利于降低引腳的對(duì)地阻抗。
在干擾源阻抗比較低的情況下，單獨(dú)加旁路電容效果不佳，串電阻配合效果好。這是很好而且低成本的措施;注意在設(shè)計(jì)時(shí)就需要考慮到。
D.選用抗干擾性能比較好芯片，是比較有效的措施。
E.對(duì)于比較有特征的干擾信號(hào)，特別是窄脈沖干擾信號(hào)，軟件可以比較有效排除，且成本低。
上述措施互不排斥且互補(bǔ)，選擇有效且低成本的措施方案改善。
我在進(jìn)行電子產(chǎn)品實(shí)際電路設(shè)計(jì)中的ESD的設(shè)計(jì)措施：
1、雪崩二極管來(lái)進(jìn)行ESD保護(hù)。
這也是設(shè)計(jì)中經(jīng)常用到的一種方法，典型做法就是在關(guān)鍵信號(hào)線(xiàn)并聯(lián)一雪崩二極管到地。該法是利用雪崩二極管快速響應(yīng)并且具有穩(wěn)定鉗位的能力，可以在較短的時(shí)間內(nèi)消耗聚集的高電壓進(jìn)而保護(hù)電路板。
2、使用高耐壓電容進(jìn)行電路保護(hù)。
該做法通常將高耐壓的陶瓷電容或Y電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號(hào)的位置，同時(shí)連接線(xiàn)盡可能的短，以便減小連接線(xiàn)的感抗。若采用了耐壓低的電容，會(huì)引起電容的損壞而失去保護(hù)的作用。
3、采用鐵氧磁珠進(jìn)行電路保護(hù)。
鐵氧磁珠可以很好的衰減ESD電流，并且還能抑制輻射。當(dāng)面臨著兩方面問(wèn)題時(shí)，一個(gè)鐵氧磁珠會(huì)是一個(gè)很不錯(cuò)的選擇。
4、火花間隙法。
這種方法是在一份材料中看到的，具體做法是在銅皮構(gòu)成的微帶線(xiàn)層使用尖端相互對(duì)準(zhǔn)的三角銅皮構(gòu)成，三角銅皮一端連接在信號(hào)線(xiàn)，另一個(gè)三角銅皮連接地。當(dāng)有靜電時(shí)會(huì)產(chǎn)生尖端放電進(jìn)而消耗電能。
5、采用LC濾波器的方法進(jìn)行保護(hù)電路。
LC組成的濾波器可以有效的減小高頻靜電進(jìn)入電路。
電感的感抗特性能很好的抑制高頻ESD進(jìn)入電路，而電容有分流了ESD的高頻能量到地。同時(shí)，該類(lèi)型的濾波器還可以圓滑信號(hào)邊緣而較小RF效應(yīng)，性能方面在信號(hào)完整性方面又有了進(jìn)一步的提高。
6、多層板進(jìn)行ESD防護(hù)。
當(dāng)成本允許的情況下，選擇多層板也是一種有效防止ESD的一種手段。在多層板中，由于有了一個(gè)完整的地平面靠近走線(xiàn)，這樣可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，進(jìn)而保護(hù)關(guān)鍵信號(hào)的作用。
7、電路板外圍留保護(hù)帶的方法保護(hù)法。
這種方法通常是在電路板周?chē)?huà)出不加組焊層的走線(xiàn)。在條件允許的情況下將該走線(xiàn)連接至外殼，同時(shí)要注意該走線(xiàn)不能構(gòu)成一個(gè)封閉的環(huán)，以免形成環(huán)形天線(xiàn)而引入更大的麻煩。
8、采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進(jìn)行電路的保護(hù)。
這種方法是利用了隔離的原理進(jìn)行電路板的保護(hù)，由于這些器件有了鉗位二極管的保護(hù)，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。
9、多采用去耦電容設(shè)計(jì)。
這些去耦電容要有低的ESL和ESR數(shù)值，對(duì)于低頻的ESD來(lái)說(shuō)，去耦電容減小了環(huán)路的面積，由于其ESL的作用使電解質(zhì)作用減弱，可以更好的濾除高頻能量。
我再總結(jié)一下;對(duì)于電子產(chǎn)品/設(shè)備-整機(jī)級(jí)&電路板級(jí)的堵和導(dǎo)
整機(jī)級(jí)的系統(tǒng)的堵和導(dǎo)
1、外殼和安裝件：金屬以及可導(dǎo)電的電鍍材料等，屬于容易吸引和聚集靜電的材料;ESD要求很高的項(xiàng)目要盡可能避免使用這些材料。
2、必須使用導(dǎo)體材料時(shí)：結(jié)構(gòu)上要事先預(yù)留有效而布局均勻的接地點(diǎn);一般來(lái)說(shuō)，頂針或者金屬?gòu)椘慕拥匦Ч麅?yōu)于導(dǎo)電泡棉和導(dǎo)電布。
3、無(wú)法做接地處理的例如電鍍側(cè)鍵等，需要重點(diǎn)在主板上做特別處理;
包括：
(1)增加壓敏電阻、TVS或者電容等器件;
(2)預(yù)留GND管腳;
(3)板邊露銅吸引靜電放電;
4、外殼上的金屬件，距離器件和走線(xiàn)必須大于2.2mm以上距離。
5、堆疊上避免器件裸露于孔、縫邊;如果無(wú)法避免的話(huà)，則要在組裝上想辦法堵;常見(jiàn)的做法有粘貼高溫膠帶或者防靜電膠帶等阻隔;所有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需要留有增加隔離片的空間。
電路板級(jí)的堵和導(dǎo)
1、增大PCB板材面積，以增加GND面積，增強(qiáng)其中和靜電的能力;成本或者差異化的堆疊讓我們做小。
2、實(shí)在很小的板子，則必須要有至少一層完整的GND層;并且要能夠跟電池地腳保持良好的連接;我們常常因?yàn)槌杀緹o(wú)法做到留出完整的地層。
3、很小的電路板，因?yàn)殡娐钒宓闹泻碗姾赡芰τ邢?，則要多考慮從整機(jī)上堵，少考慮導(dǎo)。
4、器件選擇上，要選用高耐壓ESD的器件;靜電保護(hù)器件在選擇時(shí)需要考慮其容性，避免不合適的容性導(dǎo)致其所保護(hù)信號(hào)線(xiàn)的信號(hào)本身的失效。
5、器件擺放時(shí)，容易被ESD影響的器件，盡量罩在屏蔽罩中。
6、屏蔽罩必須保證有效而分布均勻的接地!要較為直接的接到主地上，盲孔直接結(jié)合埋孔;要四周分布均勻地接地。
7、對(duì)IO口和鍵盤(pán)等容易暴露的部分電路，必須增加靜電保護(hù)器件。
8、器件擺放上，必須遵守就近釋放的原則，ESD保護(hù)器件應(yīng)靠近IO和側(cè)鍵等擺放;其次是跨在中間路上;避免靠近芯片擺放;這樣能夠減少ESD脈沖信號(hào)進(jìn)入附近線(xiàn)路的瞬態(tài)耦合;雖然沒(méi)有直接的連接，但是這種二次輻射效應(yīng)也會(huì)讓其他部分工作紊亂。
9、Layout走線(xiàn)必須遵守有效保護(hù)的原則;走線(xiàn)應(yīng)該從接口處先走到TVS處，然后才能走到CPU等芯片處;遠(yuǎn)遠(yuǎn)地“掛”在信號(hào)線(xiàn)上的靜電保護(hù)器件，會(huì)因?yàn)橐€(xiàn)寄生電感過(guò)大而導(dǎo)致保護(hù)失效，讓保護(hù)形同虛設(shè)。
10、TVS管的接地腳與主地之間的連接必須盡可能的短，減小接地平面的寄生電感。
11、TVS器件應(yīng)該盡可能靠近連接器以減少進(jìn)入附近線(xiàn)路的瞬態(tài)耦合。雖然沒(méi)有到達(dá)連接器的直接通路，但這種二次輻射效應(yīng)也會(huì)導(dǎo)致電路板其它部分的工作紊亂。
12、避免在板邊走重要的信號(hào)線(xiàn);例如時(shí)鐘、復(fù)位信號(hào)。
13、主板上未使用的地方盡可能的鋪成地;并且連接到主地上;多鋪地減小了信號(hào)與地之間的間距，相當(dāng)于減小信號(hào)的回路面積。(該面積越大，所包含的場(chǎng)流量越大，其感應(yīng)電流也越大)
14、需要注意ESD對(duì)地層的直接放電有可能損壞敏感電路。在使用TVS二極管的同時(shí)還要使用一個(gè)或多個(gè)高頻旁路電容器，這些電容器放置在易損元件的電源和地之間。旁路電容減少了電荷注入，保持了電源與接地端口的電壓差。
15、電源走在主板中間比在板邊好;地布局在板中間比板邊好。
我通過(guò)眾多的實(shí)際項(xiàng)目進(jìn)行了上面的分析和總結(jié);對(duì)于ESD問(wèn)題基本不會(huì)超出我的總結(jié)范圍!如果對(duì)系統(tǒng)了解&理解我的分析和設(shè)計(jì)思路 可以為你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)能節(jié)省很大的成本!
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