wuyueseqing,仙府之缘txt下载,老师上课没戴奶罩看到奶头,菊内留香TXL金银花段小庄

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國(guó)服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場(chǎng)效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管必看知識(shí)-MOS管正確選擇知識(shí)詳情
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-10 18:01:24
    • 來(lái)源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOS管必看知識(shí)-MOS管正確選擇知識(shí)詳情
    MOS管選擇知識(shí)詳解
    正確選擇MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題,MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,所以下面我們來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管的正確的選擇方法。
    MOS管正確選擇
    第一步:選用N溝道還是P溝道
    MOS管正確選擇,為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。
    MOS管正確選擇
    要選擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓,以及在設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。
    根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOS管不會(huì)失效。就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS知道MOS管能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計(jì)人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。
    額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍,確保電路不會(huì)失效。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
    第二步:確定額定電流
    第二步是選擇MOS管的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定,該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。
    兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。
    選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOS管并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,這稱(chēng)之為導(dǎo)通損耗。MOS管在"導(dǎo)通"時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。
    對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會(huì)越??;反之RDS(ON)就會(huì)越高。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。
    注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。技術(shù)對(duì)器件的特性有著重大影響,因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高最大VDS時(shí)往往會(huì)使RDS(ON)增大。對(duì)于這樣的技術(shù),如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。
    業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù),其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。在溝道技術(shù)中,晶片中嵌入了一個(gè)深溝,通常是為低電壓預(yù)留的,用于降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對(duì)RDS(ON)的影響,開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了外延生長(zhǎng)柱/蝕刻柱工藝。
    第三步:確定熱要求
    選擇MOS管的下一步是計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。
    在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設(shè)計(jì)人員已確定將要通過(guò)器件的最大電流,因此可以計(jì)算出不同溫度下的RDS(ON)。
    值得注意的是,在處理簡(jiǎn)單熱模型時(shí),設(shè)計(jì)人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會(huì)立即升溫。雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過(guò)最大值,并形成強(qiáng)電場(chǎng)使器件內(nèi)電流增加。
    該電流將耗散功率,使器件的溫度升高,而且有可能損壞器件。半導(dǎo)體公司都會(huì)對(duì)器件進(jìn)行雪崩測(cè)試,計(jì)算其雪崩電壓,或?qū)ζ骷姆€(wěn)健性進(jìn)行測(cè)試。
    計(jì)算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計(jì)法,另一是熱計(jì)算。而熱計(jì)算因?yàn)檩^為實(shí)用而得到廣泛采用。除計(jì)算外,技術(shù)對(duì)雪崩效應(yīng)也有很大影響。例如,晶片尺寸的增加會(huì)提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩(wěn)健性。對(duì)最終用戶(hù)而言,這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。
    第四步:決定開(kāi)關(guān)性能
    選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低,器件效率也下降。
    為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。
    什么是MOSFET的可變電阻區(qū)
    MOS管正確選擇
    可變電阻區(qū)是指輸出特性曲線中靠近縱軸,反映場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)夾斷前漏極電流和漏源電壓之間關(guān)系的部分。
    烜芯微專(zhuān)業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷(xiāo)省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
    相關(guān)閱讀