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    • 帶你看明白MOSFET參數(shù)-MOSFET特性參數(shù)的知識理解
    • 發(fā)布時間：2020-11-11 17:47:48
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    帶你看明白MOSFET參數(shù)-MOSFET特性參數(shù)的知識理解
    MOSFET特性參數(shù)
    MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導體器件，和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來越普遍的應(yīng)用。你了解MOSFET特性參數(shù)嗎？下面讓我們一起來詳細了解吧。
    1.絕對最大額定值
    任何情況下都不允許超過的最大值
    MOSFET特性參數(shù)
    2.額定電壓
    VDSS:漏極(D)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。
    MOSFET特性參數(shù)
    VGss :柵極(G)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。
    MOSFET特性參數(shù)
    3.額定電流
    ID(DC):漏極允許通過的最大直流電流值
    此值受到導通阻抗、封裝和內(nèi)部連線等的制約，TC=25°C (假定 封裝緊貼無限大散熱板)
    ID(Pulse) :漏極允許通過的最大脈沖電流值
    此值還受到脈沖寬度和占空比等的制約
    MOSFET特性參數(shù)
    4.額定功耗
    PT :芯片所能承受的最大功耗。其測定條件有以下兩種
    TC=25℃的條件...緊接無限大放熱板，封裝
    C: Case的簡寫,背面溫度為25℃(圖1)
    TA=25℃的條件...直立安裝不接散熱板
    A: Ambient的簡寫，環(huán)境溫度為25 C (圖2)
    MOSFET特性參數(shù)
    5.額定溫度
    Tch : MOSFET的溝道的上限溫度，一般Tch≤150C℃
    Tstg : MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的產(chǎn)品，其保存溫度范圍為最低-55℃,最高150℃
    6.熱阻
    表示熱傳導的難易程度。熱阻值越小，散熱性能越好。如果使用手冊上沒有注明熱阻值時，可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。
    MOSFET特性參數(shù)
    溝道/封裝之間的熱阻(有散熱板的條件)
    MOSFET特性參數(shù)
    7.安全動作區(qū)SOA
    SOA=Safe Operating Area或AOS=Area of Safe Operating
    正偏壓時的安全動作區(qū)
    MOSFET特性參數(shù)
    8.抗雪崩能力保證
    對馬達、線圈等電感性負載進行開關(guān)動作時，關(guān)斷的瞬間會有感生電動勢產(chǎn)生。
    MOSFET特性參數(shù)
    電路比較
    (1)以往產(chǎn)品(無抗雪崩保證)的電路必須有吸收電路，以保證瞬間峰值電壓不會超過VDss。
    MOSFET特性參數(shù)
    (2)有抗雪崩能力保證的產(chǎn)品，MOSFET自身可以吸收瞬間峰值電壓而無需附加吸收電路。
    MOSFET特性參數(shù)
    抗雪崩能力保證定義
    單發(fā)雪崩電流IAS:下圖中的峰值漏極電流
    單發(fā)雪崩能量EAS:一次性雪崩期間所能承受的能量，以Tch≤150℃為極限
    連續(xù)雪崩能量EAR:所能承受的反復(fù)出現(xiàn)的雪崩能量，以Tch≤150℃為極限
    MOSFET特性參數(shù)
    MOSFET特性參數(shù)：怎樣選擇MOSFET的額定值
    器件的額定-電壓值：應(yīng)高于實際最大電壓值20%；電流值：應(yīng)高于實際最大電流值20%；功耗值：應(yīng)高于實際最大功耗的50%，而實際溝道溫度不應(yīng)超過-125℃
    上述為推薦值。實際設(shè)計時應(yīng)考慮最壞的條件。如溝道溫度Tch從50℃提高到100℃時，推算故障率降提高20倍。
    在MOS管選擇方面，系統(tǒng)請求相關(guān)的幾個重要參數(shù)是：
    1． 負載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能；
    2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負載占空比才能限制；
    3． mos開關(guān)頻率FS。這個參數(shù)影響MOSFET開關(guān)霎時的耗散功率；
    4． MOSFET最大允許工作溫度。這要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的。
    MOSFET設(shè)計選擇：
    一旦系統(tǒng)的工作條件（負載電流，開關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：
    1 RDSON的值。最低的導通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。
    2 散熱。假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運用外表貼裝MOSFET到達同樣效果。
    3 MOSFET組合。假如板上空間允許，有時分，能夠用兩個較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢較低。
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