場效應管的組成
歷史
場效應管的組成，場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結型場效應管，Junction-FET，JFET）。
1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。
電極
所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BTJ的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。
這個第四端可以將晶體管調制至運行；在電路設計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。
組成
場效應管的組成，F(xiàn)ET由各種半導體構成，目前硅是最常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區(qū)，或者溝道。
場效應管的三種組態(tài)電路
場效應管與三極管相同，也具有拓寬效果，但它與通常晶體管電流操控型器材相反，場效應管是電壓操控型器材。它具有輸入阻抗高、噪聲低的特征。
場效應管的三個電極，柵極、源極和漏極別離恰當于三極管的基極、發(fā)射極和集電極。如圖所示是場效應管三種組態(tài)電路，即共源極、共漏極和共柵極拓寬器。圖 （a）所示是共源極拓寬器，它恰當于三極管中的共發(fā)射極拓寬器，是一種最常用電路。
場效應管三種組態(tài)電路：圖（b）所示是共漏極拓寬器，恰當于三極管共集電極拓寬器，輸入信號從漏極與柵極之間輸入，輸出信號從源極與漏極之間輸出，這種電路又稱為源極輸出器或源極跟從器。圖（c）所示是共柵極拓寬器，它恰當于三極管共基極拓寬器，輸入信號從柵極與源極之間輸入，輸出信號從漏極與柵極之間輸出。這種拓寬器的高頻特性比照好。
場效應管放大電路有哪三種組態(tài)?
1.電路結構
RG1. RG2為分壓電阻,RG2上的壓降為場效應管的柵極提供偏置電壓故該電路稱為分壓式自偏壓放大電路。RG3上沒有電流,對電路的靜態(tài)工作點沒有影響,RD為源極電阻。
2.靜態(tài)分析
主要求解場效應管的IDQ、UGsQ、UDsQ如圖1所示電路的直流通路如圖2所示,由于RG3.上沒有電流,故沒有繪制在直流通路中。
3.動態(tài)分析
如圖1所示電路的小信號等效電路如圖3所示。
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