MOSFET又叫場效應管，輸入電阻極大，兆歐級的，容易驅動，因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點而廣泛應用于開關電源中。在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮導通電阻、最大電壓、最大電流，常根據電源IC和MOSFET的參數來選擇合適的電路。但很多時候僅僅考慮了這些因素并不是一個好的設計方案，還應考慮本身寄生的參數。Mos管驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等都會影響MOSFET的開關性能。下面介紹下模塊電源中常用的幾種MOSFET驅動電路。
1、電源IC直接驅動MOSFET：
電源IC直接驅動是我們最常用的驅動方式，同時也是最簡單的驅動方式，使用這種驅動方式的模塊電源，應該注意幾個參數以及這些參數的影響。
1、查看一下電源IC手冊，其最大驅動峰值電流，因為不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的。
2、了解一下MOSFET的寄生電容，如上圖中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足，上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩，即使把上圖中Rg減小也不能解決問題。IC驅動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關速度等因素，都影響驅動電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無限減小。
2、電源IC驅動能力不足時：
如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內部的驅動能力又不足時，需要在驅動電路上增強驅動能力，常用圖騰柱電路增加電源IC驅動能力，如下圖所示：
這種驅動電路作用在于提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關斷時間，開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
3、驅動電路加速MOS管關斷時間：
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管。
如上圖所示：其中D1常用的是快恢復二極管，這使關斷時間減小，同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。
在介紹第二種的圖騰柱電路也有加快關斷作用，當電源IC的驅動能力足夠時，對電路改進可以加速MOS管關斷時間。
如上圖所示：用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當PNP三極管導通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內把電荷放完，最大限度減小關斷時的交叉損耗。與上面拓撲相比較，還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC，提高了模塊電源可靠性。
4、隔離驅動：
為了滿足上圖所示高端MOS管的驅動，經常會采用變壓器驅動，有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯飽和。
一個好的MOSFET驅動電路主要有以下五種要求：
1、開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。
2、開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導通。
3、關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。
4、驅動電路結構簡單可靠、損耗小。
5、根據情況施加隔離。
模塊電源中的MOSFET驅動電路還有很多其它形式的驅動電路，對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的，只有結合具體應用，選擇最合適的驅動。
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