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  • 場效應(yīng)管與可控硅驅(qū)動電路的區(qū)別有哪些
    • 發(fā)布時間:2021-03-16 14:22:42
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    場效應(yīng)管與可控硅驅(qū)動電路的區(qū)別有哪些
    場效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動電路是有本質(zhì)上的區(qū)別,首先場效應(yīng)管通常分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管,可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅(可控硅也叫晶閘管,可分單向晶閘管和雙向晶閘管),其中絕緣柵型場效應(yīng)管也叫MOS管(有一種場效應(yīng)管、三極管混合的器件叫IGBT俗稱門控管,該器件的驅(qū)動電路與場效應(yīng)管的驅(qū)動電路幾乎一樣),這種驅(qū)動屬于電壓驅(qū)動,在大多應(yīng)用在功率輸出、電力變換等場合,要求最好采用PWM(脈寬調(diào)制)信號來控制,其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭(也稱圖騰柱輸出),并且要有一定的瞬態(tài)驅(qū)動能力(因為場效應(yīng)管的柵極等效一個電容,當(dāng)驅(qū)動信號的瞬態(tài)功率不夠時,其原本的波形將被改變,通常等效為一個積分器),要求導(dǎo)通時,其柵極電壓要相對于源極高10-20V左右,典型值15V,而關(guān)斷時為了保證場效應(yīng)管關(guān)斷可靠,該電壓此時應(yīng)該為-15V,在實際應(yīng)用中為了減小場效應(yīng)管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護和相關(guān)吸收電路,并且盡量做到場效應(yīng)管的工作頻率與負載的諧振頻率相同,典型應(yīng)用就是電磁爐,流過爐盤(加熱線圈)的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大,但相位不同,互相抵消,經(jīng)疊加后的總電流較小,即流過場效應(yīng)管(實際用IGBT)的電流較小。下圖為場效應(yīng)管的典型驅(qū)動電路:
    場效應(yīng)管驅(qū)動電路,可控硅驅(qū)動電路
    而可控硅屬電流驅(qū)動,因為他等效于兩個三極管構(gòu)成正反饋放大,當(dāng)有一個觸發(fā)信號后,由于強大的正反饋作用,使之一直導(dǎo)通,當(dāng)柵極電壓高于陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小于一定數(shù)值時正反饋才會失效,即可控硅被復(fù)位,一般情況下,其柵極電壓不會高于陽極,所以可控硅屬于不可關(guān)斷的半控器件,當(dāng)觸發(fā)導(dǎo)通時無法通過柵極關(guān)斷,而場效應(yīng)管屬全控器件可以通過柵極關(guān)斷。下圖為可控硅結(jié)構(gòu)及其典型驅(qū)動電路:
    場效應(yīng)管驅(qū)動電路,可控硅驅(qū)動電路
    場效應(yīng)管驅(qū)動電路,可控硅驅(qū)動電路
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