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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-18 14:29:12
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    導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)詳解
    導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
    特點(diǎn)
    具有輸入電阻高(100000000~1000000000Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
    作用
    場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
    場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
    場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
    分類
    場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類
    按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
    按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
    主要參數(shù)
    IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。
    Up—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。
    Ut—開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。
    gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對(duì)漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。
    BVDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.
    PDSM—最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。
    IDSM—最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-襯底電容
    Cgd---柵-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---柵短路共源輸入電容
    COSS---柵短路共源輸出電容
    CRSS---柵短路共源反向傳輸電容
    D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))
    di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態(tài)漏極電流
    IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGSO---漏極開(kāi)路時(shí),截止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向電流
    IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
    IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流
    IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
    gfs---正向跨導(dǎo)
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    gpg---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導(dǎo)
    gds---漏源電導(dǎo)
    K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
    Ku---傳輸系數(shù)
    L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
    rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
    rGD---柵漏電阻
    rgs---柵源電阻
    Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    R(th)jc---結(jié)殼熱阻
    R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極最大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
    to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間
    td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
    ti---上升時(shí)間
    ton---開(kāi)通時(shí)間
    toff---關(guān)斷時(shí)間
    tf---下降時(shí)間
    trr---反向恢復(fù)時(shí)間
    Tj---結(jié)溫
    Tjm---最大允許結(jié)溫
    Ta---環(huán)境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    VSU---源襯底電壓(直流)
    VDU---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數(shù)
    ards---漏源電阻溫度系數(shù)
    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別
    判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻。若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為P溝道。
    判定源極S、漏極D:
    在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。
    與晶體三極管的比較
    場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。
    晶體三極管與場(chǎng)效應(yīng)管工作原理完全不同,但是各極可以近似對(duì)應(yīng)以便于理解和設(shè)計(jì):
    晶體管:基極發(fā)射極集電極
    場(chǎng)效應(yīng)管:柵極源極漏極
    要注意的是,晶體管(NPN型)設(shè)計(jì)發(fā)射極電位比基極電位低(約0.6V),場(chǎng)效應(yīng)管源極電位比柵極電位高(約0.4V)。
    場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。
    有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。
    場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
    工作原理
    一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu),每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。
    1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
    (1)結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見(jiàn)圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極,又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)P區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來(lái),稱為柵極Go這樣就構(gòu)成了N型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    圖1、N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)
    由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),從圖1中可見(jiàn),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈小;反之,如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說(shuō),場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。
    (2)特性曲線
    1)轉(zhuǎn)移特性
    圖2(a)給出了N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線,稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似,當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負(fù)時(shí),ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓,用VP表示,在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi),ID與VGS的關(guān)系可近似表示為:
    ID=IDSS(1-|VGS/VP|)
    其跨導(dǎo)gm為:gm=(△ID/△VGS)|VDS=常微(微歐)|
    式中:△ID------漏極電流增量(微安)
    ------△VGS-----柵源電壓增量(伏)
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線
    2)漏極特性(輸出特性)
    圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線,它和晶體三極管的輸出特性曲線很相似。
    ①可變電阻區(qū)(圖中I區(qū))在I區(qū)里VDS比較小,溝通電阻隨柵壓VGS而改變,故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí),溝通電阻為定值,ID隨VDS近似線性增大,當(dāng)VGS<VP時(shí),漏源極間電阻很大(關(guān)斷)。IP=0;當(dāng)VGS=0時(shí),漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通),ID=IDSS。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開(kāi)關(guān)作用。
    ②恒流區(qū)(區(qū)中II區(qū))當(dāng)漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS>|VP|時(shí),漏極電流,IP達(dá)到了飽和值后基本保持不變,這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū),在這里,對(duì)于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線,即ID與VGS成線性關(guān)系,故又稱線性放大區(qū)。
    ③擊穿區(qū)(圖中Ⅲ區(qū))如果VDS繼續(xù)增加,以至超過(guò)了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿,漏極電流ID突然增大,若不加限制措施,管子就會(huì)燒壞。
    2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
    它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。
    (1)結(jié)構(gòu)原理
    它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見(jiàn)圖3所示,以一塊P型薄硅片作為襯底,在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū),作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物,然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G(柵極)由于柵極與其它電極絕緣,所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    圖3、N溝道(耗盡型)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)
    在制造管子時(shí),通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
    場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型,當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。
    (2)特性曲線
    1)轉(zhuǎn)移特性(柵壓----漏流特性)
    圖4(a)給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線,圖中Vp為夾斷電壓(柵源截止電壓);IDSS為飽和漏電流。
    圖4(b)給出了N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線,圖中Vr為開(kāi)啟電壓,當(dāng)柵極電壓超過(guò)VT時(shí),漏極電流才開(kāi)始顯著增加。
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    圖4、N溝道MOS場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線
    2)漏極特性(輸出特性)
    圖5(a)給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。
    圖5(b)為N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。
    場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
    圖5、N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線
    此外還有N襯底P溝道(見(jiàn)圖1)的場(chǎng)效應(yīng)管,亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種,
    各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類,電壓符號(hào)和主要伏安特性(轉(zhuǎn)移特性、輸出特性)二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
    1、夾斷電壓VP
    當(dāng)VDS為某一固定數(shù)值,使IDS等于某一微小電流時(shí),柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。
    2、飽和漏電流IDSS
    在源、柵極短路條件下,漏源間所加的電壓大于VP時(shí)的漏極電流稱為IDSS。
    3、擊穿電壓BVDS
    表示漏、源極間所能承受的最大電壓,即漏極飽和電流開(kāi)始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的VDS。
    4、直流輸入電阻RGS
    在一定的柵源電壓下,柵、源之間的直流電阻,這一特性有以流過(guò)柵極的電流來(lái)表示,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可超過(guò)10000000000000歐。
    5、低頻跨導(dǎo)gm
    漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比,稱為跨導(dǎo),即
    gm=△ID/△VGS
    它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù),也是衡量放大作用的重要參數(shù),此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí),漏極相應(yīng)變化多少微安(μA/V)或毫安(mA/V)來(lái)表示。
    金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng),在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。當(dāng)柵g電壓vg增大時(shí),p型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴減少、耗盡,而電子積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí),電子積累層將在n+源區(qū)s和n+漏區(qū)d形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)vds≠0時(shí),源漏電極有較大的電流ids流過(guò)。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)所需加的柵源電壓稱為閾值電壓vt。當(dāng)vgs>vt并取不同數(shù)值時(shí),反型層的導(dǎo)電能力將改變,在的vds下也將產(chǎn)生不同的ids,實(shí)現(xiàn)柵源電壓vgs對(duì)源漏電流ids的控制。
    場(chǎng)效應(yīng)管(fet)是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。
    fet和雙極型三極管相類似,電極對(duì)應(yīng)關(guān)系是bg、es、cd;由fet組成的放大電路也和三極管放大電路相類似,三極管放大電路基極回路一個(gè)偏置電流(偏流),而fet放大電路的場(chǎng)效應(yīng)管柵極沒(méi)有電流,fet放大電路的柵極回路一個(gè)合適的偏置電壓(偏壓)。
    fet組成的放大電路和三極管放大電路的主要區(qū)別:場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件,靠柵源的電壓變化來(lái)控制漏極電流的變化,放大作用以跨導(dǎo)來(lái);三極管是電流控制型器件,靠基極電流的變化來(lái)控制集電極電流的變化,放大作用由電流放大倍數(shù)來(lái)。
    場(chǎng)效應(yīng)管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時(shí),可與雙極型三極管的共射、共集、共基對(duì)照,體會(huì)二者間的相似與區(qū)別之處。
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