場效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實(shí)現(xiàn)對信號(hào)的控制。由場效應(yīng)管組成的基本放大電路與晶體三極管組成的放大電路類似。FET的三個(gè)電極(G、D、S)分別和BJT的三個(gè)電極(B、C、E)對應(yīng)，從工作原理上看，BJT是通過Ube及Ib來控制集電極電流Ic ，F(xiàn)ET則通過Ugs來控制漏極電流Id，它們之間存在對應(yīng)關(guān)系。由FET 組成的基本放大電路同樣有三種組態(tài)，分別是共源極組態(tài)、共漏極組態(tài)和共柵極組態(tài)。
FET 放大電路的分析方法與BJT放大電路的分析方法基本相同，可以用圖解法和低頻小信號(hào)等效(微變等效)電路法。
4.4.1直流分析
與BJT放大電路相似，給FET柵極提供直流電壓的電路稱為偏置電路。FET的偏置電路分為固定偏置電路、自給偏置電路和分壓式偏置電路三種。
1) 固定偏置電路共源組態(tài)的基本放大電路如圖4-6 所示。為了使耗盡型JFET 工作在放大區(qū)，應(yīng)該給FET 柵極提供負(fù)偏壓。圖4-6a 是為FET提供負(fù)偏壓的固定偏置放大電路，偏置電壓由外加電壓Ugg提供，由于FET的輸入電阻很大，流過柵極的電流幾乎為零，因此，Rg兩端的電壓降為零，
2) 自給偏置電路
2) 自給偏置電路
式自給偏壓電路。
3）分壓式自給偏壓電路
將(4-8)與(4-13)聯(lián)立求解，可以得到靜態(tài)時(shí)漏極電流Id和柵源電壓Ugs的值。從圖
4-7b 的交流等效電路中將看到， Rg3的引入，有利于提高放大器的輸入電阻。上述分析以看到，利用式(4-13)獲得合適的UGs較為方便，因此，分壓式自給偏壓電路不僅適用于增強(qiáng)型FET放大電路，也同樣適用于耗盡型FET放大電路。
4.4.2 小信號(hào)模型分析
小信號(hào)等效模型也稱為微變等效模型。從場效應(yīng)管的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性表明，當(dāng)場效應(yīng)管工作在低頻小信號(hào)條件下時(shí)，電流和電壓的動(dòng)態(tài)范圍沒有超出特性曲線的動(dòng)態(tài)范圍，因此，F(xiàn)ET小信號(hào)放大電路也可以用等效電路進(jìn)行分析。
4.4.2.1 FET的小信號(hào)等效模型
FET的輸出特性可知，漏極電流Id與漏源電壓和柵源電壓的關(guān)系為
4.4.3 共漏極放大電路
共漏極放大電路如圖4-12 所示。由圖可見，共漏極放大電路
的直流偏置電路與共源極放大電路完全相同，靜態(tài)工作點(diǎn)的分析方
法也和共源極放大電路相同。但輸出電壓從源極取出，交流通路和微變等效電路如圖4-13 所示。
1)電壓放大倍數(shù)
由圖4-13b可得
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