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    • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-04 18:38:59
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    硬件電路設(shè)計(jì)-場(chǎng)效應(yīng)管
    N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
    場(chǎng)效應(yīng)管
    從結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可以看出,在柵極和導(dǎo)電溝道之間存在一個(gè)PN結(jié)。我們以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來(lái)說(shuō)明。
    如圖所示。當(dāng)在漏極D和源極S之間加上電源ED后,則在N型溝道中產(chǎn)生從漏極流向源極的電流 ID 。由PN結(jié)的特性可知,若在柵極G和源極S間加上負(fù)電壓 EG ,PN結(jié)的寬度增加,且負(fù)電壓越大,PN結(jié)就越寬,造成溝道變窄,溝道電阻變大,因此只要改變偏壓 U GS 便可控制漏極電流 I D 的大小,場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用就體現(xiàn)于此。
    當(dāng) EG 增大超過(guò) U P (預(yù)夾斷電壓),溝道變窄到幾乎消失,此時(shí)我們稱發(fā)生了夾斷。其大小受這樣沿著溝道方向產(chǎn)生一個(gè)連續(xù)的電壓降落,因此溝道各點(diǎn)與柵極G之間的電位差也不相等, E D =0,
    通常結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間總是處于反向偏置狀態(tài),因此其輸入電阻很高。
    增強(qiáng)型mos管(分為N溝道和P溝道兩種)
    場(chǎng)效應(yīng)管
    我們不去研究它的具體原理,我們只需知道如何使用就可以了:
    從上圖可見(jiàn),N+型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被P型襯底隔開(kāi),漏極和源極之間好像是兩個(gè)背靠背的PN結(jié),當(dāng)UGS=0時(shí),不管漏極和源極間所加電壓的極性如何,其中總有一個(gè)PN結(jié)是反向偏置的,反向電阻很大,漏極電流ID近似為零,即不具有原始導(dǎo)電溝道。
    如果在柵極和源極之間加正向電壓UGS,情況就會(huì)發(fā)生變化,在UGS的作用下,產(chǎn)生了垂直于襯底表面的電場(chǎng)。
    由于二氧化硅絕緣層很薄,因此即使UGS很?。ㄈ缰挥袔追?,也能產(chǎn)生很強(qiáng)的電場(chǎng)強(qiáng)度。柵極附近硅片中的空穴被排斥,而硅片與N+區(qū)中的電子被吸引,形成一個(gè)電子薄層。這個(gè)薄層就成為漏極與源極之間的導(dǎo)電溝道,被稱為N型溝道。在漏源電壓UDS作用下,由于N型溝道導(dǎo)通,就形成了漏極電流 ID,通常把開(kāi)始導(dǎo)電時(shí)的UGS稱為開(kāi)啟電壓,用UT表示。UGS越大,感應(yīng)的電子越多,N型導(dǎo)電溝道越寬,溝道電阻就越小,漏極電流ID就越大。
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