1.什么是N型、P型半導體中多子和少子？
2.PN結。
場效應管分為：
1.絕緣柵型場效應管(IGFET)，又稱MOS管；
2.結型場效應管j（JFET）。
當了解完MOS管，結型場效應管自然就理解了。
一、原理說明（以N溝道增強型MOS管為對象）
先看圖：
1.為什么叫N溝道？
因為源極和漏極是兩個N型半導體，我們的目的是要使源極和漏極兩個導通，相當于在漏源之間挖一條溝渠，這樣兩邊就連通了。
但問題來了。在無任何外電場作用的情況下，漏源之間是兩個背向的PN結，無法形成溝道，無法連通。
2.怎么形成N溝道？
在柵-源（g-s）間加上正電壓，在柵極金屬下側聚集正電荷，排斥二氧化硅絕緣層下側P型半導體具有正電特性的空穴，形成PN結。
現(xiàn)在加大柵-源（g-s）間的電壓，PN結區(qū)域變寬，同時吸引PN結下方的電子到PN結與二氧化硅之間，這樣溝道就形成了。
3.溝挖好了，現(xiàn)在要"放水"了
在漏-源（d-s）間加上正向電壓，電子在電場下流動，形成電流。
4.為什么叫增強型？
因為要形成溝道，柵-源（g-s）間就要加上正電壓，在一定范圍內，加的正電壓越大，溝道越寬，導通的能力就越強。對應的，耗盡型MOS管就明白了。
注意：在柵-源（g-s）間電壓目的不是為了使溝道下方的PN結導通，這里是為了形成溝道，與三極管在PN結上加正向電壓目的不一樣。
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