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    SI2309場效應(yīng)管參數(shù)-SI2309MOS管

    發(fā)布時(shí)間:2021-10-07 18:47:14
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    產(chǎn)品概述
    SI2309場效應(yīng)管參數(shù)
    烜芯微生產(chǎn)貼片SI2309場效應(yīng)管,提供SI2309場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書,SI2309MOS管中文資料與SI2309場效應(yīng)管的引腳圖
    SI2309場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
    極性:PNP
    Power Dissipation(w)功耗:1W
    Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:-2A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:-60V
    Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±20V
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-2A,VGS=-10V:Typ 150mΩ Max 200mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-1A,VGS=-4.5V:Typ 200mΩ Max 300mΩ
    Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍:-55 to 150℃
    SI2309場效應(yīng)管,SOT-23封裝尺寸:
    SI2309
    黑膠長:最高值3.0mm,最低值2.8mm
    黑膠寬:最高值1.4mm,最低值1.2mm
    總寬:最高值2.55mm,最低值2.25mm
    高:最高值1.0mm,最低值0.9mm
    總高:最高值1.1mm,最低值0.9mm
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    SI2309
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