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  • IGBT尖峰電壓吸收電路圖文解析
    • 發(fā)布時間:2022-06-20 16:50:07
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    IGBT尖峰電壓吸收電路圖文解析
    IGBT尖峰電壓吸收電路
    關(guān)斷IGBT時由于電感中儲存有能量,集電極-發(fā)射極間會發(fā)生浪涌電壓。緩沖電路可以抑制施加在IGBT上的過電壓和關(guān)斷損耗的增加。這是由于緩沖電容器可以分擔(dān)關(guān)斷時的一部分能量。務(wù)必妥當(dāng)處理電容器所吸收的能量。
    RCD 緩沖電路:
    IGBT 尖峰 吸收電路
    關(guān)斷開關(guān)時儲存的能量 : 1/2?LiC2
    e+= L?diC/dt
    IGBT 尖峰 吸收電路
    如果Cs能夠完全吸收L的能量
    1/2?LiC2=1/2?Cs?Δe2
    即成立,因此
    Δe= i0×√L/Cs
    IGBT 尖峰 吸收電路
    RCD緩沖電路的損耗:
    IGBT 尖峰 吸收電路
    把緩沖電路安裝在每個IGBT上比安裝在直流母線和地線之間更有效。
    但是,存在Rs上損耗較大的問題。Rs上的損耗是LiC2與開關(guān)頻率的乘積,L為0.2μH、iC為100A、開關(guān)頻率為10kHz時損耗為20W。
    此時,在3相橋路電路中,僅緩沖電路的損耗就有120W??梢酝ㄟ^控降低頻率或向電源再生能量來減少損耗。
    為了降低Δe,首先減小L(主電路的分布電感)尤為重要。Cs隨電感變小而變小。
    Vs是(配線電感)×-dic/dt、Ds的正向恢復(fù)電壓以及(Cs的分布電感)×-dic/dt的總和。
    下述要點可以使緩沖電路更有效。
    以更低的-dic/dt為驅(qū)動條件驅(qū)動IGBT。(降低IGBT的關(guān)斷速度)
    減小主電路配線的電感。為此設(shè)法將電源(電解)電容器放在盡可能靠近IGBT模塊的位置,使用銅板配線,實施分層布置等。
    緩沖電路也應(yīng)放在模塊的附近,Cs應(yīng)采用薄膜電容器等頻率特性好的元件。
    Ds使用正向?qū)▔航敌?,反向軟恢?fù)型超快速二極管。
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