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  • 反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題解決介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-06-21 17:57:30
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    反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題解決介紹
    開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰
    首先來(lái)看看MOS應(yīng)力公式:(理想化處理,不影響結(jié)論)
    Vds=Vin+n*Vo+Vspike
    =Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5
    這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義:
    1、Lk是變壓器漏感(實(shí)際還應(yīng)包含PCB寄生電感);
    2、C1為RCD鉗位電容(實(shí)際還應(yīng)包含MOS DS兩端的電容,一般遠(yuǎn)小于C1,故忽略)。
    降低開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰--如圖:
    開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰
    對(duì)于大家碰到的開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰問(wèn)題,90%以上可以采用圖中的方法解決,不再為電壓尖峰煩惱。
    針對(duì)本文總結(jié):
    1、本文目的是針對(duì)反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題進(jìn)行定性分析,從而為降低此尖峰提供指導(dǎo)方向,并不是要去計(jì)算它。
    可能很多人,不知道其的復(fù)雜,都希望用公式計(jì)算,這里是很難精確計(jì)算的,因?yàn)橛绊懸蛩靥啵?jì)算也需要做一些假設(shè)和處理。
    2、根據(jù)上圖,相信可以解決大部分Vds尖峰電壓?jiǎn)栴}。
    3、如果圖中采用的方法還解決不掉,就需要更加細(xì)化,可以采用以下幾個(gè)整改方向:
    A、layout走線優(yōu)化(功率回路盡量短,使pcb電感盡量??;同時(shí)也注意RCD的走線,這里除了會(huì)影響尖峰,也會(huì)影響傳導(dǎo)的高頻段和輻射);
    B、調(diào)整RCD中的D;(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
    C、調(diào)整RCD中的R;(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
    D、一般Rsense到IC CS pin都有個(gè)RC,調(diào)整RC時(shí)間常數(shù);(需要重新確認(rèn)過(guò)功率點(diǎn))
    E、調(diào)整副邊二極管的吸收參數(shù)。(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
    根據(jù)圖一,加上以上的方法,基本上可以解決所有電壓尖峰問(wèn)題。
    對(duì)于反激的大部分應(yīng)用,用600V的MOS就夠了。當(dāng)然了,有特殊要求,如有較大裕量要求的,可能就要用更高耐壓的MOS了,但一般對(duì)效率不利。
    實(shí)測(cè)的MOS Vds的波形:
    開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰
    開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰
    圖一:尖峰電壓1>尖峰電壓2
    圖二:尖峰電壓1<尖峰電壓2
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