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  • 用PMOS實現(xiàn)LED恒流驅(qū)動芯片的通斷控制介紹
    • 發(fā)布時間:2022-10-25 17:49:59
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    用PMOS實現(xiàn)LED恒流驅(qū)動芯片的通斷控制介紹
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    電路原理:
    1、QX7135E33為330mA線性LED恒流驅(qū)動芯片,無使能端。
    2、利用PMOS控制QX7135的電源通斷,實現(xiàn)使能功能。
    原理說明:
    1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時,三極管Q2的基極被拉低到地,為低電平,Q2不導(dǎo)通,進而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不導(dǎo)通,+5V_OUT 無輸出。
    電阻R4是為了在 Control 為高阻時,將三極管Q2的基極固定在低電平,不讓其浮空。
    帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    2、當電源 +5V_IN 剛上電時,要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻,即關(guān)閉三極管Q2,從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定,不能將電源打開向后級電路輸出。
    此時等效電路圖如下。
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    此時電源 +5V_IN 剛上電,使MOS管G極與S極等電勢,即Vgs = 0,令Q1關(guān)閉。
    3、電源 +5V_IN 上電完成后,MOS管G極與S極兩端均為5V,仍然Vgs = 0。
    4、此時將 Control 設(shè)為高電平(假設(shè)高電平為3.3V),則:
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    ①三極管Q2的基極為0.7V,可算出基極電流Ibe為:
    (3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA
    ②三級管Q2飽和導(dǎo)通,Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電,即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V,導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
    ③MOS管Q1的Vgs緩慢增大,令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。
    ④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(導(dǎo)通),實現(xiàn)了軟開啟的功能。
    MOS管打開時的電流流向如下圖所示:
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    5、電源打開后,+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設(shè)為低電平,三極管Q2關(guān)閉,電容C1與G極相連端通過電阻R2放電,電壓逐漸上升到5V,起到軟關(guān)閉的效果。
    軟關(guān)閉一般不是我們想要的,過慢地關(guān)閉電源,可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過程如下圖。
    MOS管 驅(qū)動 通斷控制
    一般情況下還是放心使用軟啟動功能,伴隨而來的軟關(guān)閉效果一般沒什么影響。
    電路參數(shù)設(shè)定說明:
    調(diào)整C1、R2的值,可以修改軟啟動的時間。值增大,則時間變長。反之亦然。
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