MOS管門極驅(qū)動電路
（1)直接驅(qū)動
電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關(guān)斷時提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷。
（2)互補三極管驅(qū)動
當MOS管的功率很大時，而PWM芯片輸出的PWM信號不足已驅(qū)動MOS管時，加互補三極管來提供較大的驅(qū)動電流來驅(qū)動MOS管。
PWM為高電平時，三極管Q3導(dǎo)通,驅(qū)動MOS管導(dǎo)通;PWM為低電平時，三極管Q2導(dǎo)通，加速MOS管的關(guān)斷;電阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關(guān)斷時提供放電回路的;二極管D1是加速MOS的關(guān)斷。
（3)耦合驅(qū)動(利用驅(qū)動變壓器耦合驅(qū)動)
MOS管門極驅(qū)動電路：當驅(qū)動信號和功率MOS管不共地或者MOS管的源極浮地的時候，比如Buck變換器或者雙管正激變換器中的MOS管，利用變壓器進行耦合驅(qū)動如圖:
驅(qū)動變壓器的作用:
1.解決驅(qū)動MOS管浮地的問題;
2.解決PWM信號與MOS管不共地的問題;
3.一個驅(qū)動信號可以分成兩個驅(qū)動信號;
4.減少干擾。
MOS管門極驅(qū)動電路圖
由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導(dǎo)數(shù)dU/dt成正比，盡量縮短激勵脈沖上升時間至關(guān)重要。激勵脈沖的上升時間主要取決于MOS管的導(dǎo)通速度。
而驅(qū)動這種大功率的MOS管相當于驅(qū)動容性負載，尤其是工作在較高頻率下時,柵極電容的充放電會影響MOS管的開關(guān)速度。因此設(shè)計了由射極跟隨器組成的高速化驅(qū)動電路來驅(qū)動MOS管,以提高其導(dǎo)通與關(guān)斷速度。
下圖為MOS管的門極驅(qū)動電路的實現(xiàn)方案。由于射極跟隨器吸收電流的能力很差,所以在射極跟隨器的輸出上附加了PNP三極管Q2,使MOS管關(guān)斷時放電高速化。
當Q1的基極為高電平時, Q1飽和導(dǎo)通,+12V電源通過二極管對Q的門極輸入電容進行高速充電,使Q快速導(dǎo)通;當Q1的基極為低電平時，Q的門極輸入電容由Q2的發(fā)射極向集電極快速放電,使Q迅速關(guān)斷。
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