一個MOS電路計算的話,有兩個參數(shù)是比較重要的。一個是vth,一個是UnCox。不考慮其他效應(yīng)。
那有一個工藝庫,就要知道工藝庫的這兩個參數(shù)。一種方法直接看工藝庫參數(shù),但是現(xiàn)在的工藝庫是基于BSIM,參數(shù)超級多,有考慮到很多二級效應(yīng)。如果直接用工藝庫的參數(shù)vth0,UnCox來計算的話,會發(fā)現(xiàn)計算的值和仿真的值相差比較大。因此就需要找出我們用于手算的這兩個參數(shù)的值。
對于MOS飽和情況:
其電流方程
兩邊開根號,可以得到Id和Vgs是線性的。因為s端接低電平(對于N管),接高電平(對于P管)。所以就得到Id和Vg是線性的。
即
搭電路所用的庫是st02 。
管子的寬長比都是10u/5u。
V1電壓源為5V,提供電源。V0電壓源提供給管子的柵極輸入。
對V0進行DC電壓掃描。得到N管和P管關(guān)于電壓V0的曲線。利用計算器得到掃描數(shù)據(jù)。
DC設(shè)置和得到的輸出曲線。
N管和P管的電流對于輸入電壓掃描的值。左是N管電流,右是P管電流。
得到數(shù)據(jù)后,就用matlab來處理。利用數(shù)據(jù),得到擬合的線性曲線,得到斜率和截距,就可以得到參數(shù)的值了。
Matlab的代碼如下:
前一個值是斜率,后一個值是截距。
帶入到
即可得到
UnCox = 59.3uA/v2 Vthn = 0.6v
UpCox = 22.8 uA/v2 Vthp = -0.8v
這樣就得到了參數(shù)了。
下面進行去驗證一下:
將寬長比改成 N管8.5u/5u P管 7.3u/5u
利用電流公式 得到
N管電流 181.96uA
P管電流 48.1uA
從圖中仿真出來的電流比較,會發(fā)現(xiàn),誤差比較小。
可圖中還可以看出,N管的Vth為0.75v,P管的Vth為-0.98V。與我們計算出來的值不一樣。相差0.1V左右。(我認(rèn)為仿真的時候,考慮了對Vth影響的二階效應(yīng),所以造成Vth有變化)。
以上的數(shù)據(jù)在長溝道的時候,計算比較有效。在短溝道情況下,計算誤差就比較大了,因為在短溝道下,平方率公式已經(jīng)不適用了,此時二階效應(yīng)的影響比較大了。不過模擬電路,溝道都不會太短,可以按照長溝道公式計算。
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