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Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-01-31 15:27:12
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Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
MOS管
Cadence仿真中,MOS管的參數(shù)很多,有些參數(shù)可以直接添加到計(jì)算器中,進(jìn)行數(shù)據(jù)的計(jì)算。
type:MOS管類型,可能值為 n 或 p。
region:MOS管的工作區(qū)域,可能值為 0~4,分別對(duì)應(yīng):0: 關(guān)斷;1: 線性區(qū);2: 飽和區(qū);3: 亞閾值區(qū);4: 擊穿
reversed:MOS管是否反向,可能值為 yes 或 no。
ids (A): 阻性漏源電流
lx4 (A): ids 的別名,當(dāng) MOS管反向時(shí)有相反的符號(hào)。
lx50 (A):襯源電流。
vgs / lx2 (V):柵源電壓。
vds / lx3 (V):漏源電壓。
vbs / lx1 (V):襯源電壓。
vth (V):有效閾值電壓。
lv9 (V):vth 的別名。
vdsat (V):漏源飽和電壓。
lv26 (V):平帶電壓(Flat-band voltage)。
lv10 (V):vdsat 的別名。
gm / lx7 (S):共源跨導(dǎo)。
gds / lx8 (S):共源輸出跨導(dǎo)。
gmbs / lx9 (S):襯底跨導(dǎo)。
betaeff (A/V2):有效 β 值。
cjd / lx29 (F):漏區(qū)襯底結(jié)電容。
cjs / lx28 (F):源區(qū)襯底結(jié)電容。
lx12 (Coul):襯底電荷(Qb)
lx14 (Coul):柵極電荷(Qg)
lx16 (Coul):漏區(qū)電荷(Qd)
lx24 (Coul):漏區(qū) PN 結(jié)電荷。
lx26 (Coul):源區(qū) PN 結(jié)電荷。
cgg / lx18 (F):dQg_dVg
cgd / lx19 (F):dQg_dVd
cgs / lx20 (F):dQg_dVs
cgb (F):dQg_dVb
cdg / lx32 (F):dQd_dVg
cdd / lx33 (F):dQd_dVd
cds / lx34 (F):dQd_dVs
cdb (F):dQd_dVb
csg (F):dQs_dVg
csd (F):dQs_dVd
css (F):dQs_dVs
csb (F):dQs_dVb
cbg / lx21 (F):dQb_dVg
cbd / lx22 (F):dQb_dVd
cbs / lx23 (F):dQb_dVs
cbb (F):dQb_dVb
ron():導(dǎo)通電阻。
id / i1 (A):漏端電流。
is / i3 (A):源端電流。
ibulk / i4 (A):襯底電流。
lx5 (A):源端 PN 結(jié)電流。
lx6 (A):漏端 PN 結(jié)電流。
pwr (W):處于工作點(diǎn)時(shí)的功耗。
gmoverid (1/V):Gm/Ids
lv36 (F):柵源交疊電容。
lv37 (F):柵漏交疊電容。
lv38 (F):柵襯底交疊電容。
lx10 (S):漏區(qū)二極管跨導(dǎo)。
lx11 (S):源區(qū)二極管跨導(dǎo)。
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