MOS管做開關(guān)是一種常用的方式，在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管，或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖所示。本文分析基于圖2電路引起的MOS管做開關(guān)對(duì)輸入端電源的影響。
圖1 三極管加MOS管形式開關(guān)電路
圖2 NMOS加PMOS形式開關(guān)電路
在使用圖2做電源開關(guān)時(shí)，檢測電源的波形發(fā)現(xiàn)，在開關(guān)導(dǎo)通的過程中對(duì)電源的輸入端有一個(gè)電源下拉的現(xiàn)象。其使用環(huán)境為，輸入電壓為DC5V，輸出DC5V，開關(guān)控制為LVTTL電平（3.3V）。其檢測的情況如下所示。
MOS管緩沖電容對(duì)電源開關(guān)的影響
當(dāng)沒有添加緩沖電容（圖中C305，C302，C304，C303）的時(shí)候，其對(duì)電源下拉到4.2V以下。其檢測波形如圖3所示；
當(dāng)只添加前端緩沖電容（C302，C305）時(shí)其電源下拉情況明顯改善，電源下拉到4.5V左右，其檢測波形如圖4所示；
當(dāng)只添加后端緩沖電容(C303，C304)時(shí)，其電源下拉情況也得到明顯的改善，電源下拉到4.7V左右，其波形如圖5所示；
當(dāng)前后端緩沖電容（C305，C302，C304，C303）都加上時(shí)，其電源下拉情況和只添加后端電容時(shí)，區(qū)別不大。
MOS管緩沖電阻對(duì)電源開關(guān)的影響
這里的緩沖電阻只測試了后端MOS管的緩沖電阻（R112）對(duì)電源開通時(shí)的影響。其測試條件為圖2種有后端緩沖電容的情況。
當(dāng)緩沖電阻（R112）為1K時(shí)，其后端電壓上升時(shí)間為2.2ms，下拉影響在4.7V左右，波形上有明顯的下拉跡象，波形如所示；
當(dāng)緩沖電阻（R112）為12K時(shí)，其后端電壓上升時(shí)間為19ms，下拉影響在4.8V左右，波形上沒有有明顯的下拉跡象，波形如所示；
問題原理分析
MOS管做開關(guān)時(shí)對(duì)電源有一個(gè)固有的下拉現(xiàn)象，但可以通過控制MOS管的緩沖電阻、電容來改變MOS管的開通時(shí)間，從而控制電源下拉的幅度以及波形的平緩程度。
找到一個(gè)MOS管的開關(guān)時(shí)間的波形圖，可以支撐上面的推論。其圖如下所示。
圖8 MOS管開關(guān)時(shí)間測試電路與波形
其開關(guān)波形過程分析如下所示：
當(dāng)還沒發(fā)下拉脈沖時(shí)，VGS=0，VDS=-VDD，此時(shí)MOS管關(guān)斷；
當(dāng)發(fā)送下拉脈沖時(shí)，VGS逐漸減小，VDS逐漸增加，此時(shí)MOS管開通，穩(wěn)定時(shí)，VGS<0，VDS=0(PMOS的導(dǎo)通條件是VGS<0)；
MOS管做開關(guān)時(shí)，對(duì)電源下拉就是這個(gè)VDS上升與VGS下降造成的，，而下拉幅度就是滿值到VDS與VGS的交叉點(diǎn)。
而在一個(gè)固定的電路中，最初與最終的VGS、VDS值是固定了的，我們能改變的就是Td(on)與Tr值（即我們可以通過外面的緩沖電阻與電容調(diào)節(jié)開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間）。當(dāng)Td(on)與Tr值增大后，VGS與VDS的交叉點(diǎn)就相應(yīng)往上抬了，則開通時(shí)對(duì)電源的下拉幅度就會(huì)小一些。
用MOS管做開關(guān)時(shí)，對(duì)電源的下拉是必然有，但我們可以調(diào)節(jié)其下拉的幅度，因此電路中建議預(yù)留處緩沖電容與電壓的位置（根據(jù)自己需要保留其一個(gè)或者全留）。
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