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    • 集成電路,MOS管的亞閾值區(qū)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間：2023-02-21 17:16:06
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    集成電路,MOS管的亞閾值區(qū)介紹
    Vds與Vdsat的關(guān)系
    Vds > Vdsat時(shí)，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和區(qū)，需要讓Vds -Vdsat大于某個(gè)經(jīng)驗(yàn)值。
    MOS管 亞閾值區(qū)
    作圖步驟詳見(jiàn)前文
    在長(zhǎng)溝道工藝（大約是大于4um）中，Vdsat=Vov， 過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vov=Vgs-Vth，當(dāng)Vds > Vdsat時(shí)，MOS管的溝道夾斷（pinch off），電流飽和。
    但在先進(jìn)工藝中，Vdsat偏離了Vov，也就是小于Vov，這是因?yàn)樗俣蕊柡托?yīng)，Vds達(dá)到Vdsat而還沒(méi)有達(dá)到Vov時(shí)，電流就飽和了。此時(shí)，溝道還沒(méi)有夾斷。
    速度飽和效應(yīng)：溝道場(chǎng)強(qiáng)
    MOS管 亞閾值區(qū)
    足夠強(qiáng)時(shí)，多子漂移速度為
    MOS管 亞閾值區(qū)
    也就是速度達(dá)到飽和，為定值Vsat，平方律公式變?yōu)榱艘淮蔚摹?/div>
    使管子工作在亞閾值區(qū)的目的：
    相同電流下，亞閾值區(qū)的Vdsat小，gm小，等效輸入噪聲電壓小，但同時(shí)W/L大，電容大。
    Vgs<Vth約100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亞閾值區(qū)的飽和區(qū)，這時(shí)擴(kuò)散電流為主。
    MOS管 亞閾值區(qū)
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