wuyueseqing,仙府之缘txt下载,老师上课没戴奶罩看到奶头,菊内留香TXL金银花段小庄

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • 平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET的區(qū)別
    • 發(fā)布時間:2023-04-20 17:57:18
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET的區(qū)別
    功率晶體管
    近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。
    可以看出,Si-MOSFET在這個比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件下,高速工作表現(xiàn)更佳。
    平面 超級結(jié) MOSFET
    平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET
    Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之,就是在功率晶體管的范圍,為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。
    如下圖所示,平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當耐壓提高時,漂移層會增厚,存在導通電阻增加的課題。而超級結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個垂直PN結(jié)的結(jié)構(gòu),可保持耐壓的同時降低導通電阻RDS(ON)與柵極電荷量Qg。
    平面 超級結(jié) MOSFET
    另外,內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復時間trr是作為晶體管的關(guān)斷開關(guān)特性的探討項目。
    如下面的波形圖所示,基本上超級結(jié)MOSFET的PN結(jié)面積比平面MOSFET大,因此與平面MOSFET相比,具有trr速度更快、但irr較多的特性。
    平面 超級結(jié) MOSFET
    這種特性作為超級結(jié)MOSFET的課題在不斷改善,因其高速性和低噪聲特征,超級結(jié)MOSFET有一些變化。
    〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關(guān)閱讀