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  • CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-22 15:46:23
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    CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析
    溝道寬長比介紹
    本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個(gè)基本概念。
    溝道(channel)是指場效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之間的一薄半導(dǎo)體層。是由于外加電場引起的沿長度方向的導(dǎo)電層。
    如下圖所示:
    溝道寬長比
    MOS管工作在非飽區(qū)時(shí),I-V特性曲線公式近似為:
    溝道寬長比
    因此,溝道寬長比對MOS管來說是非常重要的一個(gè)參數(shù)指標(biāo)。寬長比越大,MOS管的 飽和電流(Idsat)就越大,性能就越好。
    在數(shù)字后端中,溝道的寬長比也體現(xiàn)在單元庫上。當(dāng)溝道長度L相同時(shí),不同的溝道寬度會造成cell的不同高度,我們通常說的7 Track, 9 Track即是代表不同的溝道寬度,溝道寬度越大,速度也越快,功耗也越大;
    當(dāng)溝道寬度W相同時(shí),不同的溝道長度L也會造成cell的速度不同,我們通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表不同的溝道長度。L越小,速度也越快,功耗也大。
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