SiC MOSFET短路保護(hù)
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積,短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。
2、IGBT短路后能夠退飽和(desaturation)進(jìn)入線性區(qū),電流不再增加,能夠自我限流。
3、短路后SiC MOSFET 由線性區(qū)(linear region)進(jìn)入飽和區(qū)(saturation region),拐點(diǎn)電壓非常高,因此Id電流增加的同時(shí),Vds隨著上升,進(jìn)一步擴(kuò)大短路損耗。
4、IGBT退飽和保護(hù)機(jī)理,如下圖,正常工作Cblk 電壓會(huì)被嵌位到Vce+Vd,當(dāng)IGBT進(jìn)入退飽和拐點(diǎn)后,Vce迅速上升,Dhv由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,電流源迅速?duì)Cblk充電,抬高電壓DESATFault 置位。
IGBT 退飽和電路
5、由于SiC MOSFET的“退飽和拐點(diǎn)”非常高,Vds的響應(yīng)速度非常慢,一般不采用Vce電壓進(jìn)行“退飽和”操作,通過采樣電阻電流采樣,精度高。但是損耗大,在小電流應(yīng)用中使用。
6、對(duì)于大電流應(yīng)用,傾向于帶有SENSE PIN的MOSFET進(jìn)行電流采樣,Rs上電流和主管上的電流存在一定的比例關(guān)系,從而減小采樣電阻上電壓。
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