MOSFET電路模型的構(gòu)建
MOSFET在不同應(yīng)用場合使用的電路模型是不同的,要搞懂MOSFET作為數(shù)字開關(guān)和模擬放大中的左右,還是得從MOSFET的特性曲線入手。
對于MOSFET,電流只有一種情況,就是流經(jīng)D/S之間的電路,記為IDS,電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線有兩種情況:VGS-IDS和VDS-IDS。
前者稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,后者稱為輸出特性曲線。
輸出特性曲線
輸出特性曲線
輸出特性曲線
這里重點關(guān)注輸出特性曲線,我們將前面一段上升區(qū)定義為電阻區(qū),或者線性區(qū),后面一段平行直線定義為電流源區(qū)或者飽和區(qū)。
如果我們把問題簡化,直接用兩條直線對器件進行建模:
前一段,這個MOSFET就等效為一個電阻,后一段等效為一個壓控的電流源,壓控的電壓為Ugs,壓控能力是一個平方關(guān)系,具體可參考半導(dǎo)體器件相關(guān)書籍。如果開啟的電壓Ugs沒有達到MOSFET的閾值電壓Ut的話,這個時候MOSFET相當于一個開路。
總結(jié):
在實際的應(yīng)用過程中,MOSFET電阻區(qū)和截止區(qū)主要應(yīng)用在CPU等邏輯芯片中,而恒電流區(qū)應(yīng)用在基于MOSFET的信號放大電路中。
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