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SI2311場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),SI2311MOS管

SI2311場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),SI2311MOS管

發(fā)布時(shí)間:2024-12-18 15:28:32
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產(chǎn)品概述
SI2311場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
烜芯微生產(chǎn)SI2311場(chǎng)效應(yīng)管,提供SI2311的參數(shù)規(guī)格書,SI2311中文資料與SI2311場(chǎng)效應(yīng)管的引腳圖
SI2311場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
極性:PNP
Power Dissipation(w)功耗:1.31W
Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:-5A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:-20V
Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±12V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓:-0.4~-1.0V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-4.1A,VGS=-4.5V:Typ 23mΩ Max 27mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-2.5V:Typ 28mΩ Max 37mΩ
Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍:-55 to 150℃
SI2311場(chǎng)效應(yīng)管封裝為:SOT-23
SI2311
作用與應(yīng)用
SI2311場(chǎng)效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中,它通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動(dòng),實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制。SI2311廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
電源管理:SI2311可用作低壓降開關(guān),用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
信號(hào)放大:在音頻放大器和低頻放大器中,SI2311可以作為信號(hào)放大的關(guān)鍵部件。
開關(guān)控制:在各種開關(guān)電路中,如LED燈控制、電機(jī)控制等,SI2311能提供高效的開關(guān)控制功能。
模擬開關(guān):在模擬電路中,SI2311可以作為開關(guān)管,用于模擬信號(hào)的控制和處理。
充電管理:在移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)車等充電管理系統(tǒng)中,SI2311用于充電過(guò)程中的電池保護(hù)和充電控制。
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