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LM339引腳圖與功能,LM339參數(shù),LM339電路圖介紹
2024-04-23
LM339引腳圖與功能,LM339參數(shù),LM339電路圖介紹LM339(四路差動(dòng)比較器)由14個(gè)引腳和4個(gè)獨(dú)立的電壓比較器組成，LM339是在電壓比較器芯片內(nèi)部裝
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電源效率是什么,電源效率計(jì)算公式介紹
2024-04-23
電源效率是什么,電源效率計(jì)算公式介紹開關(guān)電源在實(shí)際工作中輸入與輸出轉(zhuǎn)換是有一定的能量損耗的，并不會(huì)完全無損耗轉(zhuǎn)換，電源效率就是用來
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MOS管尖峰電壓,MOS管尖峰產(chǎn)生原因介紹
2024-04-23
MOS管尖峰電壓,MOS管尖峰產(chǎn)生原因介紹MOS管尖峰產(chǎn)生的原因主要與電壓電流的瞬態(tài)變化以及寄生參數(shù)（電感、電容）有關(guān)，特別是在高頻開關(guān)時(shí)。
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mos管制作led亮度調(diào)節(jié),led調(diào)光電路圖解
2024-04-23
mos管制作led亮度調(diào)節(jié),led調(diào)光電路圖解本文分享一個(gè)可以改變LED燈亮度的小電路，能夠很明顯觀察到LED燈亮度變化的過程，既可以連續(xù)變化又可
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mos管測量好壞方法,mos管測量好壞詳解
2024-04-23
mos管測量好壞方法,mos管測量好壞詳解mos管測量好壞圖文一般在判斷好壞的時(shí)候先對MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極）電
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mosfet屬于什么器件,mosfet原理作用介紹
2024-04-23
mosfet屬于什么器件,mosfet原理作用介紹MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，
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mos管開啟條件,n溝道p溝道m(xù)os管開啟條件詳解
2024-04-23
mos管開啟條件,n溝道p溝道m(xù)os管開啟條件詳解MOS屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的，因?yàn)镸OS管各極
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nmos與pmos的區(qū)別,nmos pmos怎么區(qū)分
2024-04-20
nmos與pmos的區(qū)別,nmos pmos怎么區(qū)分MOS管根據(jù)導(dǎo)電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構(gòu)相似，都是由n型和p型半導(dǎo)體夾雜著一層
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開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解
2024-04-20
開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解雪崩失效雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)
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三端穩(wěn)壓器怎么測量,三端穩(wěn)壓器測量好壞方法介紹
2024-04-20
三端穩(wěn)壓器怎么測量,三端穩(wěn)壓器測量好壞方法介紹三端穩(wěn)壓器的檢測方法1、測量引腳間的電阻值把指針式萬用表放至R×1k檔，將黑表筆接到
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數(shù)字集成電路是什么,數(shù)字集成電路介紹
2024-04-20
數(shù)字集成電路是什么,數(shù)字集成電路介紹數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路是基于數(shù)字邏輯（布爾代數(shù)）設(shè)計(jì)和運(yùn)行的，基于邏輯門搭建的，用于處理數(shù)字
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lvds電平詳解，lvds電平標(biāo)準(zhǔn)圖解
2024-04-20
lvds電平詳解，lvds電平標(biāo)準(zhǔn)圖解lvds電平LVDS ：低電壓差分信號（Low-Voltage Differential Signaling）是一種信號傳輸模式的電平標(biāo)準(zhǔn)，