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二極管的直流電阻與動(dòng)態(tài)電阻怎么區(qū)別二極管是一種非線性器件,它對(duì)直流和交流(或者說動(dòng)態(tài)量)呈現(xiàn)出不同的等效電阻。二極管的直流電阻是其工
對(duì)二極管壓降變化進(jìn)行補(bǔ)償圖解二極管產(chǎn)生的正向壓降跟整流特性一樣有用,它們隨溫度變化很大。這會(huì)增加損耗,并可能導(dǎo)致電源容許誤差。雖然
抑制副邊整流二極管尖峰電壓前沿尖峰的一些抑制方法1選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管,或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效,或在開關(guān)管
開關(guān)電源中使用慢恢復(fù)二極管由于開關(guān)電源始終處在打開和關(guān)閉的循環(huán),這就要求開關(guān)電源中的器件有較高的強(qiáng)度和較短的反應(yīng)時(shí)間。通常來說,開
開關(guān)電源輸出的三類整流二極管資料變壓器與EMI 的關(guān)系開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn),還應(yīng)具有足夠大的輸出
動(dòng)態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用想象一種不需要使用放大器的光電二極管。理論上,我們不必為了增強(qiáng)訊號(hào)而在光電二極管周圍加上復(fù)雜的模擬電路,就能
抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對(duì)比高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過程中,存在
mos場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬
碳化硅(SiC)二極管有哪些優(yōu)勢(sic)碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn),是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一,并且率先實(shí)現(xiàn)了
碳化硅二極管參數(shù)碳化硅二極管介紹及優(yōu)勢碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn),是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一,并且率先實(shí)
低開啟電壓MOS管低開啟電壓(YGS(th))也稱為柵極閾值電壓,這個(gè)數(shù)值的選擇在這里主要與用作比擬器的運(yùn)放有火。VMOS不像BJT,柵極相關(guān)于源
低開啟電壓MOS管應(yīng)用對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品,總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積,這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。為了降低產(chǎn)品