MOS管作為電源電路中常用的電子元件,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題,了解不同的MOS管的差別及在電路中的應(yīng)用,可以提高整個電路的效率和成本。以下幾點MOS管選型的基本方法僅供參考:
1、選擇N溝道還是P溝道。在典型功率應(yīng)用中,當(dāng)一個MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時,該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷璧碾妷嚎紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時,就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
2、確定MOS管的額定電流。該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的MOS管能承受這個額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時,兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌或尖峰電流流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
3、選擇MOS管的穩(wěn)定性能。雪崩擊穿能力是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過最大值,并形成強(qiáng)電場使器件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會提高雪崩擊穿能力,最終提高器件的穩(wěn)定性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
決定MOS管的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極,柵極/源極,漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因此每次開關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度一次會被降低,器件效率也下降。
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