wuyueseqing,仙府之缘txt下载,老师上课没戴奶罩看到奶头,菊内留香TXL金银花段小庄

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管,電源防反接與防倒灌介紹
    • 發(fā)布時間:2024-07-15 16:43:24
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOS管,電源防反接與防倒灌介紹
    防反接電路的用處很容易理解,實現(xiàn)也相對簡單,但是防倒灌電路則可能到用到的時候才會發(fā)現(xiàn)有點復雜。比方說,一個東西既支持用PD 供電輸入20V,又可以直接DC 輸入24V,USB 5V 供電時也能亮,還允許插著DC 供電的同時插著USB 線連接上位機,并且傳輸數(shù)據(jù)的USB 接口和PD 供電接口是同一個,這時問題就出現(xiàn)了,DC 24V 可能會通過USB 的VBUS 直沖上位機。
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    最萬無一失、最豪華的方案可能是給VBUS 上串一個隔離變壓器,先逆變再變回DC,這樣一來有變壓器擋著,后級電壓絕對跑不到上位機去。說不定有些地方就是這么做的,只不過太豪華了。最貧窮的就是直接串個二極管,和最簡單的防反接電路一樣,但是當VBUS 需要在PD 模式下承擔功率時問題就復雜了,二極管的功耗不可接受。一種方案是所謂的理想二極管,就是功能和二極管一樣,可以反向截止,實現(xiàn)防反接和防倒灌保護,又沒有二極管的正向壓降。只不過專用的理想二極管芯片太貴了,趕得上一片STM32,規(guī)格也太高,車規(guī)、上百伏電壓什么的。
    Reverse Current Protection Using MOSFET and Comparator to Minimize Power Dissipation
    使用MOSFET 和比較器實現(xiàn)反向電流保護,從而減小功耗。
    反向電流的定義
    反向電流是指負載端試圖將電流倒灌回電源。這種現(xiàn)象可能在電源電壓突然降低或者完全消失的時候發(fā)生,以及當電源連接時,負載端的退耦、旁路電容或者電池也可能使電流倒灌。此外,負載端電壓可能超過電源端,這也會導致反向電流,比如存在感性負載導致的反向電壓,或者由失效的電池充電電路外泄的電壓。
    注:當然也可能出現(xiàn)在并聯(lián)多個電源的時候,一個電源往另一個電源嘴里塞
    基于比較器的反向電流保護
    如圖1 所示,一個比較器輸入端跨接在MOSFET 兩端,從而檢測電路中電流的方向:
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    注:這里NMOS 的用法和防反接電路里的PMOS 類似,都是讓體二極管方向和電流方向相同。用前面的電荷泵實現(xiàn)NMOS 高邊驅動
    在正常的正向電流情況下,由于MOS 管的導通電阻R d s ( o n ) R_{ds(on)}R 
    ds(on)
     ,MOS 管的源極到漏極會存在一個輕微的壓降,使漏極電壓低于源極。比較器檢測的就是這個壓降。當電流反向,漏極的電壓將會高于源極,比較器檢測到這種情況,然后輸出低電平,使MOS 管關斷,從而斷開負載。
    注:MOS 管具有雙向導電性,已經(jīng)開啟的MOS 管上電流可以雙向流動,和BJT 三極管不同。
    MOS 管導通時兩端能產(chǎn)生的壓降不過數(shù)十毫伏,共地連接的比較器需要精心設計輸入電壓偏置電路,使共模輸入電壓保持在比較器的工作參數(shù)范圍內(nèi)。這個附加的偏置電路也會增加噪聲和漂移,影響對小信號的檢測。
    為了消除偏置電路引入的噪聲和漂移,同時還能提供足夠的電流用來驅動MOS 管,比較器的公共端(接地端)懸空連接到電源電壓(V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
     ),于是輸入端和輸出端都能直接連接到MOS 管上。
    注:接地端接到電源電壓,運放的共模輸入電壓以電源正端為參考,等于給輸入加了一個負的偏置
    此時要讓比較器能工作,需要給它提供高于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    的供電電壓。比較器的供電電壓(電源正端到接地端的壓差)不能太低,否則無法驅動MOS 管使其完全導通,但是也不能高于MOS 管的柵極最高電壓V G S ( m a x ) V_{GS(max)}V 
    GS(max)
     。對于大部分MOS 管,5V 是個不錯的柵極驅動電壓。
    要生成這個高于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    的電壓用來驅動比較器和MOS 管,這里使用了一個電荷泵。給電荷泵電路輸入一個方波信號就能輸出高于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    的DC 電壓。由于電荷泵的輸入是一個電容,也就是交流耦合的,所以允許使用一個基于地電平的振蕩器作為信號源。完整電路如下圖:
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    注:左邊555 輸出方波,加上D2、C2、D3、C3 就組成所謂的迪克森電荷泵。R2 和C4 是RC 濾波,Z1 用來給運放穩(wěn)壓
    比較器放在MOS 管旁邊檢測V D S V_{DS}V 
    DS
    電壓。為了最小化V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    線上的噪聲或瞬態(tài)影響,比較器電路懸空放在V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    上。這消除了共模抑制的問題,也不再需要一個會造成信號減速和衰減的輸入偏置電路。
    注:原文這里寫了一大段介紹電荷泵的原理,簡直和寫論文水字數(shù)一樣~ 就不翻譯了,想知道的可以去搜個視頻講解看看,絕對比干看文字舒服
    比較器反相輸入端的二極管D4A,D4B(BAT54A 是雙肖特基二極管) 和電阻R5 用來將反相輸入電壓鉗位到V B A T T ± 300 V_{BATT} \pm 300V 
    BATT
     ±300 mV。如果反相輸入端被拉低到小于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    時就需要鉗位,比如當上電時,MOS管通過體二極管導通。這個鉗位電路也會在負載端產(chǎn)生高于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    的反向電壓時起到保護作用。
    R6 是下拉電阻(或者說是柵極放電電阻),用來在比較器未工作時保證MOS 管不導通。
    R3 和R H Y S T R_{HYST}R 
    HYST
    為比較器提供可選的遲滯,如果在無負載或小負載時有噪聲或振蕩,遲滯能保證穩(wěn)定。遲滯的數(shù)值要在穩(wěn)定性和最小的導致比較器觸發(fā)的反向電流這兩方面做出取舍,遲滯越大,反向電流的最小觸發(fā)值就越大。關于遲滯特性的信息,可以參考原文第7 段 - 參考文獻。
    旁路電容C5 是必要的,因為電荷泵需要一個對地交流阻抗較低的通路才能正常工作。如果沒有C5,電荷泵的峰值電流可能從MOS 管的檢測部分流過,導致比較器被錯誤觸發(fā),尤其是當MOS 管處于反向電流保護狀態(tài)或體二極管狀態(tài)。
    注:可能是指會有電流從電荷泵經(jīng)過MOS 管的體二極管流過,導致漏極比源極電壓低,比較器就會使MOS 管導通
    元件選取
    MOSFET
    MOS 管的導通電阻R D S ( o n ) R_{DS(on)}R 
    DS(on)
    對電路的性能有最大的影響,導通電阻越低,觸發(fā)保護所需的反向電流就越大。這是因為導通電阻越低,MOS 管上的壓降就越低,因而需要更大的反向電流才能達到比較器的觸發(fā)電壓。
    注:意思就是觸發(fā)保護之前可能出現(xiàn)較大的瞬間反向電流,如果電源端有TVS 以及別的鉗位保護,或者輸出電容夠大、ESR 夠低,那么只要反向電流持續(xù)時間足夠短應該就沒事,也就是要比較器動作快。以及導通電阻非常低這個優(yōu)點此時變成了缺點,那么天生導通電阻比較大的PMOS 其實更適合用在這里
    必須要指出的是,MOS 管的導通電阻具有正溫度系數(shù),也就是導通電阻隨溫度增加而增加。這就導致當溫度上升時,反向電流閾值會下降,反之則上升。所以必須在低溫時測試最大觸發(fā)電流。
    注:所謂的worst case 是在低溫時,溫度上升后這個電路的表現(xiàn)會提升
    如果一個MOS 管的導通電阻是20mΩ,1A 的反向電流就會在MOS 管漏極和源極之間產(chǎn)生20mV 壓降。這時的柵源電壓V G S ( o n ) V_{GS(on)}V 
    GS(on)
    就被叫做“感應”電壓。
    注:原文 This VGS(ON) voltage will be referred to as the “sense” voltage,沒看懂
    對于上圖的電路,MOS 管選擇了Nexperia 的BUK9K17-60,在V G S V_{GS}V 
    GS
    約4V 時它的導通電阻約20mΩ,V D S ( m a x ) V_{DS(max)}V 
    DS(max)
    為60V,封裝是SO-8,方便用在面包板上。
    比較器
    運放的輸入失調電壓可被視為和輸入的檢測電壓串聯(lián),取決于失調電壓的極性,它可能提高或者降低實際輸入的檢測電壓,從而成為影響閾值電壓的最重要因素之一。微小的檢測電壓必須克服失調電壓后才能到達到比較器的閾值。比較器的數(shù)據(jù)手冊中,失調電壓的規(guī)格是不分極性的絕對值(±1mV),所以在計算誤差范圍時,必須綜合考慮失調電壓的兩種極性。
    MOS 管的柵極電容較大,通常約1nF,所以為了避免遲緩的開關時間,采用推挽輸出的比較器更合適。為了實現(xiàn)盡量快的響應時間,比較器必須盡可能快的關閉MOS 管,更強的電流輸出能力允許比較器更快的開關MOS 管。
    Suitable devices are the TLC3701, TLV3201, TLV7011, LMV761 and LMV7239 comparator families.
    其他元件
    R2 電阻的取值要考慮到對比較器啟動時間的不利影響,因為冷啟動上電后,比較器的旁路電容C3 要經(jīng)過R2 充電。C4 電容的容量越大,比較器電路的啟動時間也越長,在這段時間內(nèi),MOS 管處于體二極管正偏導通狀態(tài)。然而,如果V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    電壓被中斷或者瞬間降低,較大的C4 容量可以提供更長的“保持時間”,讓電路仍能發(fā)揮保護效力。
    仿真
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    注:測試電路是讓V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    極性周期變化,看比較器電路能不能截斷負載端的負半周電流,就像二極管那樣。第一條線I l o a d I_{load}I 
    load
     是負載端電流,第二條是V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
     ,第三條是比較器的輸出電壓V c o m p o u t V_{compout}V 
    compout
     。比較器輸出高電平時MOS 管導通
    如上圖4 所示,當I l o a d I_{load}I 
    load
    電流過零,向負方向移動時,比較器的輸出變?yōu)榈碗娖疥P斷了MOS 管,隔離了負載,將負載端電流變?yōu)榱恪?br /> MOS管 電源防反接 防倒灌
    上圖5 展示了電流負半周和比較器輸出狀態(tài)的放大視角,可以看出反向電流觸發(fā)點的位置。
    注:圖里可以看出電流是先反向走了一會然后比較器才觸發(fā),所以上半部分的I l o a d I_{load}I 
    load
    曲線有一個負尖峰,但是后面電流上升的時候比較器動作幾乎沒有延遲
    反向電流的檢測用了更長的時間,因而圖中的電流曲線出現(xiàn)了“下沖”,這是因為這時MOS 管正處于導通狀態(tài),導通電阻很小,所以MOS 管上的壓降很小。電流上升時則相反,此時MOS 管不導通,兩端的壓降是體二極管的0.8V 正向壓降。如果反向電流的下沖是不可接受的,或許有必要給MOS 管串聯(lián)一個電阻,從而增加壓降。
    對反向電流的響應時間取決于四個參數(shù):
    MOS 管的導通電阻R D S ( o n ) R_{DS(on)}R 
    DS(on)
    ;
    比較器的失調電壓;
    比較器的傳播延遲;
    電流曲線的上升/下降時間;
    比較器的遲滯;
    第1、2和第5 個參數(shù)在DC 環(huán)境有最大的影響,會延長轉變時間??紤]到不同MOS 管的參數(shù)差異以及不同負載下的變化,導通電阻可能造成最大的影響。
    當電流的邊緣上升/下降率和比較器的響應時間接近時,第3 和第4 個參數(shù)會決定觸發(fā)電流的最小值。因為比較器的響應時間基本固定,所以電流邊緣更加陡峭時,反向電流的最大值會上升??梢允褂盟俣雀斓牡谋容^器,但是電路的響應時間還取決于比較器驅動MOS 管的速度,MOS 管柵極電容充放電的過程也會造成延遲。
    注:意思就是如果電流曲線非常陡峭,那么到比較器準備關斷MOS 管時,電流已經(jīng)遠遠超過了觸發(fā)點
    添加遲滯可以最小化電流接近閾值時的振蕩,但是也會對觸發(fā)點造成很大影響。
    測試結果
    注:這部分是實際電路的測試結果,同樣挑重點
    負載電流驗證
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    注:測試原理和仿真的相同,左半邊是保護關閉的情況,右邊圖里最上邊是被保護電路砍掉負半周的負載電流。藍線和綠線之間是比較器的供電電壓,基本不隨V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
     的起伏變化
    左圖中頂部青色電流曲線清楚的顯示了負載電流變化的過程:下降到-2A,過零,然后上升到+2A。綠色曲線是V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    電壓,在11V 到13V 之間變化。藍色線是比較器由電荷泵產(chǎn)生的供電電壓,由穩(wěn)壓管控制在V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
    + 5V。藍色線是比較器驅動MOS 管的輸出電壓,輸出低電平時,實際電壓等于V B A T T V_{BATT}V 
    BATT
     ,高電平則等于供電電壓。當電流反向時比較器輸出低電平,電流正向時為高電平。
    電路的運作
    保護電路啟用后,由上面的圖7 可見,當負載電流過零轉入負半周時,比較器輸出低電平,導致負載電流負半周被截斷,當負載電流過零上升時,比較器輸出高電平。當反向電流接近觸發(fā)點時,比較器的輸出存在輕微的振蕩。
    上圖8(左邊)展示了反向電流(青色)的下沖區(qū)和比較器的輸出狀態(tài)(玫紅),當反向電流接近-150mA 時,比較器的輸出發(fā)生了振蕩(左邊下降沿),當反向電流達到-300mA 時,比較器被完全觸發(fā)。在電流的負半周,MOS 管保持關斷狀態(tài),因為比較器輸出低電平,MOS 管柵源電壓V G S V_{GS}V 
    GS
    = 0V。
    在比較器應用中,當輸入信號(差模電壓)接近零,并且處于轉變的邊緣時,這種振蕩是常見的,此時比較器是被噪聲觸發(fā)。后文會討論如何減少振蕩。
    當電流過零上升時,比較器輸出高電平,驅動MOS 管開啟,接通負載。在沒有導通時,MOS 管兩端的電壓是最大的,由于正向偏置的體二極管在MOS 管兩端制造的大約700mV 的電壓,正向開啟的速度更快,觸發(fā)的一致性也更好。
    上文已經(jīng)提到過,反向電流下沖的量主要取決于MOS 管的導通電阻,比較器的失調電壓以及附加的遲滯。
    MOS管 電源防反接 防倒灌
    應用遲滯
    要減少比較器的輸出振蕩,可以給電路添加遲滯。然而,遲滯會提高觸發(fā)點(絕對值),從而降低靈敏度并提高反向電流的觸發(fā)點。
    上圖9(右邊)展示了添加1MΩ 遲滯電阻(R H Y S T R_{HYST}R 
    HYST
     )降低振蕩的效果。可看出,反向電流的觸發(fā)點移動到了大約-500mA,因為比較器需要更高的輸入電壓以克服遲滯效應增加的閾值。
    注:不過也可以看出,下降沿的振蕩確實沒了
    〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關閱讀