2. 應(yīng)用
2.1 NMOS 開關(guān)控制
如圖，通過 NMOS 的開關(guān)作用，完成對(duì) LED 的亮滅控制。此時(shí) MOS 管工作于截止區(qū)和可變電阻區(qū)。
對(duì)于 NMOS ，當(dāng) Vgs = Vg - Vs > 0 時(shí)，NMOS 導(dǎo)通；當(dāng) Vgs = Vg - Vs < 0 時(shí)，NMOS 斷開。
2.2 PMOS 電源控制
2.2.1 IO 控制
PMOS 在整個(gè)電路系統(tǒng)中，其中某一部分的電路上電通過控制中可以方便用于通斷控制。上圖的電路中，使用時(shí)需要注意的一點(diǎn)是 VCC_IN 與控制端的電平 PWR_CON 要處于同一標(biāo)準(zhǔn)（eg：VCC_IN = 3.3V；PWR_CON 高電平 = 3.3V）。
對(duì)于 PMOS ，當(dāng) Vgs = Vg - Vs < 0 時(shí)，PMOS 導(dǎo)通；當(dāng) Vgs = Vg - Vs > 0 時(shí)，PMOS 斷開。
因?yàn)?MOS 管的導(dǎo)通壓降是非常小的，所以在 Rds 之上的能量損耗是比較少的。
2.2.2 NMOS 控制 PMOS
進(jìn)一步地，上圖的電路可以擴(kuò)展為下圖，PMOS 的柵極通過 NMOS 來控制。
拓展為此電路，針對(duì) VCC_IN 與 PWR_CON 電壓就沒有強(qiáng)制的要求了。當(dāng) PWR_CON 為高電平的時(shí)候，NMOS 導(dǎo)通，PMOS 的柵極被拉低到低電平，PMOS 導(dǎo)通，VCC_OUT 有電壓輸出；反之，當(dāng) PWR_CON 為低電平時(shí)，NMOS 關(guān)斷，從而使 PMOS 也斷開，這樣就完成了 VCC_IN 輸出電壓到 VCC_OUT 的控制。
2.2.3 按鍵上電控制
上圖的電路，就可以完成所謂的按鍵開機(jī)的功能。
（1）按下 K1 按鍵，PMOS 的柵極被拉低，Vgs < 0，PMOS 導(dǎo)通，VCC_OUT 有電壓輸出；
（2）VCC_OUT 有電壓輸出，按鍵按下時(shí)可完成對(duì) MCU 的供電，然后軟件端通過 MCU 的 GPIO 進(jìn)而控制 NMOS 的柵極，即 PWR_CON 。先通過 KEY_DET 檢測(cè)到按鍵動(dòng)作，然后把 PWR_CON 設(shè)置為高電平，NMOS 導(dǎo)通，使得 PMOS 也導(dǎo)通，這時(shí)候抬起按鍵，VCC_OUT 一端也有電壓穩(wěn)定輸出，就實(shí)現(xiàn)了按鍵上電開機(jī)的功能。
此電路的二極管，功能是防止電壓反竄和 對(duì)MCU 的 GPIO 的保護(hù)。
功能流程：
2.3 反相（非門邏輯）
如果電路中需要實(shí)現(xiàn)邏輯非的功能，可以采用 MOS 管（三極管）加上電阻來實(shí)現(xiàn)，如下圖所示：
通過一個(gè) MOS 管（三極管）加上兩個(gè)電阻，就可以實(shí)現(xiàn)非門的邏輯。
具體的應(yīng)用可參考本文：再學(xué) SPI ——（一）SPI片選信號(hào)
2.4 電池防反接功能
在大多數(shù)的電池防反接電路中，常選擇壓降小的二極管（如：肖特基二極管）來完成，但是針對(duì)如 3.7V 鋰電池的應(yīng)用場(chǎng)景，肖特基約為 0.2V 的壓降天然的造成了電池容量的浪費(fèi)，而 MOS 管導(dǎo)通的低壓降（Vds）就有很大的優(yōu)勢(shì)了。
如上圖所示，PMOS 在此處的作用就是防止 VBUS 存在時(shí)，LDO Vin 端的電壓反竄到電池上。
原理分析：
（1）當(dāng) USB VBUS 存在時(shí)，PMOS 的柵極電壓 Vg = 5V，源極電壓 Vs = 3.7V（假設(shè)此時(shí)的電池電壓為 3.7V），Vgs = 5 - 3.7 = 1.3V（大于0），此時(shí) PMOS 關(guān)斷，就起到了防止 Vin 端電壓反竄的作用；
（2）當(dāng) USB VBUS 不存在時(shí)，PMOS 的柵極通過 10K 的電阻下拉到 GND，因此柵極電壓 Vg = 0V，源極電壓 Vs = 3.7V（假設(shè)此時(shí)的電池電壓為 3.7V），電池通過 PMOS 自身的寄生二極管使得 Vs = 3.7V，所以 PMOS 的導(dǎo)通電壓 Vgs = 0 - 3.7 = -3.7V，PMOS 導(dǎo)通，這樣就完成了電池電壓到 Vin 端的輸入。
上圖的 LDO 電路，只要使能端 LDO_CON 給一個(gè)開啟信號(hào)，輸出端 V_3V3 就可以穩(wěn)定輸出 3.3V，C3、C4 為 LDO 的輸入輸出電容，一般大于 1uF（具體參考數(shù)據(jù)手冊(cè)取值）。
具體的應(yīng)用可參考本文：電源防反接小結(jié)
2.5 IO通信雙向切換
在一些設(shè)備中，如果兩個(gè)通過 IO 連接的器件，某一時(shí)刻，一個(gè)處于休眠，一個(gè)處于掉電，這時(shí)候就會(huì)導(dǎo)致休眠的器件向掉電的器件灌入電流，為了完全杜絕此狀態(tài)下的電路竄入，可采取如下電路的設(shè)計(jì)（比如：I2C 的 SDA 信號(hào)）
原理分析：
如上面兩個(gè)方向的表格分析，這樣通過 NMOS 就完成了一個(gè) IO 雙向通信的控制。（只能選擇 NMOS，不可選擇 PMOS，原因讀著可以自行分析一下）
2.6 3.3V 與 5V 的電平轉(zhuǎn)換
（1） MOS 實(shí)現(xiàn)：
在實(shí)際的應(yīng)用中，常會(huì)遇到通信的兩個(gè)芯片之間的電平不匹配的問題，這時(shí)候就需要通過外部的電路來完成電平匹配的工作（如：MCU 的電平為 3.3V，而外設(shè)的電平為 5V）。
原理分析：
反之，也完成了對(duì) 5V 設(shè)備的數(shù)據(jù)的讀取。
注：此電路用三極管也可以實(shí)現(xiàn)同樣的功能，如下圖：
（2） 兩級(jí) NPN 實(shí)現(xiàn)：
如下圖所示，3.3V 與 5V 之間的電平轉(zhuǎn)換，也可以通過兩級(jí)的 NPN 三極管來實(shí)現(xiàn)。
原理分析：
以上為一些常用的 MOS 管的實(shí)際應(yīng)用電路
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