MOSFET管是一種通過電場控制導通狀態(tài)的半導體器件，分為N溝道和P溝道兩種類型。其基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和柵極。通過在柵極施加電壓，可以控制源極和漏極之間的電流導通或截止。MOSFET管的開關(guān)特性使其非常適用于高頻、高效率的開關(guān)電路。
◆ DC-AC轉(zhuǎn)換階段：
在光伏逆變器的DC-AC轉(zhuǎn)換階段，MOSFET管用于全橋或半橋逆變電路，通過高頻開關(guān)實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。此階段要求MOSFET管具有高耐壓和低導通電阻，以提高轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
◆ 功率因數(shù)校正(PFC)：
MOSFET管在PFC電路中用于提高系統(tǒng)的功率因數(shù)和降低諧波失真。高效的PFC電路可以顯著改善電能質(zhì)量，使逆變器更加高效和環(huán)保。
◆ 最大功率點追蹤(MPPT)：
MPPT控制電路通過調(diào)節(jié)MOSFET管的工作狀態(tài)，使光伏陣列在不同環(huán)境條件下始終工作在最大功率點。MOSFET管的快速響應特性對于實現(xiàn)高效的MPPT控制至關(guān)重要。
MPPT電路DC-DC應用中MOSFET管的開關(guān)頻率高達幾百KHz，對MOSFET管的動態(tài)參數(shù)要求較高，SGT管的低Ciss、Crss，低內(nèi)阻的特性非常適合高頻應用。DFN5*6 TO-252、TO-220/247封裝為主。
整流電路應用貼片TTF封裝,小尺寸大電流、快恢復特點，可顯著提升效率，降低EMI,滿足高效率和高功率密度的性能要求
MOSFET管在逆變器應用主要為前級升壓和后級逆變兩部分。前級升壓將電池電壓升至高壓，后級逆變將高壓逆變成交流電。MOSFET管選型封裝一般有TO-252,DFN5*6,TO-220,TO-247等為主。后級逆變常用拓撲結(jié)構(gòu)為全橋逆變，一般選用650~1200V 高壓MOS，封裝TO-220/TO-247插件封裝為主。
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