如下是一個(gè) NMOS 的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào) VG1 設(shè)置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開(kāi)啟電壓 2V，所以 MOS 管 T2 會(huì)以周期 T=20ms 進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
首先仿真 Vgs 和 Vds 的波形，會(huì)看到 Vgs=2V 的時(shí)候有一個(gè)小平臺(tái)，有人會(huì)好奇為什么 Vgs 在上升時(shí)會(huì)有一個(gè)小平臺(tái)？
MOS 管 Vgs 小平臺(tái)
帶著這個(gè)疑問(wèn)，我們嘗試將電阻 R1 由 5K 改為 1K，再次仿真，發(fā)現(xiàn)這個(gè)平臺(tái)變得很小，幾乎沒(méi)有了，這又是為什么呢？
MOS 管 Vgs 小平臺(tái)有改善
為了理解這種現(xiàn)象，需要理論知識(shí)的支撐。
MOS 管的等效模型
我們通?？吹降?MOS 管圖形是左邊這種，右邊的稱為 MOS 管的等效模型。
其中：Cgs 稱為 GS 寄生電容，Cgd 稱為 GD 寄生電容，輸入電容 Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容 Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容 Crss=Cgd，也叫米勒電容。
如果你不了解 MOS 管輸入輸出電容概念，請(qǐng)點(diǎn)擊：帶你讀懂 MOS 管參數(shù)「熱阻、輸入輸出電容及開(kāi)關(guān)時(shí)間」
米勒效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)拙褪敲桌针娙荩桌招?yīng)指其輸入輸出之間的分布電容 Cgd 在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)，米勒效應(yīng)會(huì)形成米勒平臺(tái)。
首先我們需要知道的一個(gè)點(diǎn)是：因?yàn)?MOS 管制造工藝，必定產(chǎn)生 Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應(yīng)不可避免。
那米勒效應(yīng)的缺點(diǎn)是什么呢？
MOS 管的開(kāi)啟是一個(gè)從無(wú)到有的過(guò)程，MOS 管 D 極和 S 極重疊時(shí)間越長(zhǎng)，MOS 管的導(dǎo)通損耗越大。因?yàn)橛辛嗣桌针娙?，有了米勒平臺(tái)，MOS 管的開(kāi)啟時(shí)間變長(zhǎng)，MOS 管的導(dǎo)通損耗必定會(huì)增大。
仿真時(shí)我們將 G 極電阻 R1 變小之后，發(fā)現(xiàn)米勒平臺(tái)有改善？原因我們應(yīng)該都知道了。
MOS 管的開(kāi)啟可以看做是輸入電壓通過(guò)柵極電阻 R1 對(duì)寄生電容 Cgs 的充電過(guò)程，R1 越小，Cgs 充電越快，MOS 管開(kāi)啟就越快，這是減小柵極電阻，米勒平臺(tái)有改善的原因。
那在米勒平臺(tái)究竟發(fā)生了一些什么？
以 NMOS 管來(lái)說(shuō)，在 MOS 管開(kāi)啟之前，D 極電壓是大于 G 極電壓的，隨著輸入電壓的增大，Vgs 在增大，Cgd 存儲(chǔ)的電荷同時(shí)需要和輸入電壓進(jìn)行中和，因?yàn)?MOS 管完全導(dǎo)通時(shí)，G 極電壓是大于 D 極電壓的。
所以在米勒平臺(tái)，是 Cgd 充電的過(guò)程，這時(shí)候 Vgs 變化則很小，當(dāng) Cgd 和 Cgs 處在同等水平時(shí)，Vgs 才開(kāi)始繼續(xù)上升。
我們以下右圖來(lái)分析米勒效應(yīng)，這個(gè)電路圖是一個(gè)什么情況？
MOS 管 D 極負(fù)載是電感加續(xù)流二極管，工作模式和 DC-DC BUCK 一樣，MOS 管導(dǎo)通時(shí)，VDD 對(duì)電感 L 進(jìn)行充電，因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通時(shí)間極短，可以近似電感為一個(gè)恒流源，在 MOS 管關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管給電感 L 提供一個(gè)泄放路徑，形成續(xù)流。
MOS 管的開(kāi)啟可以分為 4 個(gè)階段。
t0~t1 階段
從 t0 開(kāi)始，G 極給電容 Cgs 充電，Vgs 從 0V 上升到 Vgs（th）時(shí)，MOS 管都處于截止?fàn)顟B(tài)，Vds 保持不變，Id 為零。
t1~t2 階段
從 t1 后，Vgs 大于 MOS 管開(kāi)啟電壓 Vgs（th），MOS 管開(kāi)始導(dǎo)通，Id 電流上升，此時(shí)的等效電路圖如下所示，在 IDS 電流沒(méi)有達(dá)到電感電流時(shí)，一部分電流會(huì)流過(guò)二極管，二極管 DF 仍是導(dǎo)通狀態(tài)，二極管的兩端處于一個(gè)鉗位狀態(tài)，這個(gè)時(shí)候 Vds 電壓幾乎不變，只有一個(gè)很小的下降（雜散電感的影響）。
t1~t2 階段等效電路
t2~t3 階段
隨著 Vgs 電壓的上升，IDS 電流和電感電流一樣時(shí)，MOS 管 D 極電壓不再被二極管 DF 鉗位，DF 處于反向截止?fàn)顟B(tài)，所以 Vds 開(kāi)始下降，這時(shí)候 G 極的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給 Cgd 充電，Vgs 出現(xiàn)了米勒平臺(tái)，Vgs 電壓維持不變，Vds 逐漸下降至導(dǎo)通壓降 VF。
t2~t3 階段等效電路
t3~t4 階段
當(dāng)米勒電容 Cgd 充滿電時(shí)，Vgs 電壓繼續(xù)上升，直至 MOS 管完全導(dǎo)通。
結(jié)合 MOS 管輸出曲線，總結(jié)一下 MOS 管的導(dǎo)通過(guò)程
t0~t1，MOS 管處于截止區(qū)；t1 后，Vgs 超過(guò) MOS 管開(kāi)啟電壓，隨著 Vgs 的增大，ID 增大，當(dāng) ID 上升到和電感電流一樣時(shí)，續(xù)流二極管反向截止，t2~t3 時(shí)間段，Vgs 進(jìn)入米勒平臺(tái)期，這個(gè)時(shí)候 D 極電壓不再被續(xù)流二極管鉗位，MOS 的夾斷區(qū)變小，t3 后進(jìn)入線性電阻區(qū)，Vgs 則繼續(xù)上升，Vds 逐漸減小，直至 MOS 管完全導(dǎo)通。
MOS 管輸出曲線
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