在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。本節(jié)不從物理結(jié)構(gòu)上闡述其電流流向,主要探討MOS的電流流向以及體二極管電流相關(guān)問(wèn)題,為后續(xù)的電路設(shè)計(jì)夯實(shí)基礎(chǔ)。
€1.MOS的電流流向
圖5-1:使用建議MOS的電流流向
使用MOS時(shí),常選擇的電流流向如圖5-1所示,NMOS從D極流向S極;PMOS從S極流向D極。然后我們發(fā)現(xiàn)他們的電流流向和各自寄生的體二極管Di極性是相反的。也就是說(shuō)如果在開(kāi)關(guān)使用場(chǎng)景,導(dǎo)通時(shí)電流只會(huì)通過(guò)MOS主體流過(guò),Di是反極性不會(huì)有額外電流流過(guò)。關(guān)閉時(shí)MOS也處于完全關(guān)閉狀態(tài)。
圖5-2:MOS另外的電流流向
而用圖5-2所示這種方式使用MOS,NMOS從S極流向D極;PMOS從D極流向S極。然后我們發(fā)現(xiàn)他們的電流流向和各自寄生的體二極管Di極性是相同的。也就是說(shuō)如果在開(kāi)關(guān)使用場(chǎng)景,導(dǎo)通時(shí)電流不僅會(huì)通過(guò)MOS主體流過(guò),Di是同極性也會(huì)有額外少許電流。關(guān)閉時(shí)MOS實(shí)際并不處于完全關(guān)閉狀態(tài),會(huì)有較大的電流從Di流過(guò)。
MOS電流導(dǎo)通流向不是唯一的,在VGS滿足驅(qū)動(dòng)條件時(shí),主要是看源極和漏極之間的電位,漏極電位高于源極,電流D到S。源極電位高于漏極,電流S到D。
€2.MOS的體二極管電流
如圖5-3和 圖5-4 ,隨意挑選了幾款MOS,可以了解到其二極管流過(guò)的電流Is值,有些會(huì)標(biāo)明二極管持續(xù)電流和脈沖電流。從值可以看出還是比較大的,并且每一個(gè)MOS管都會(huì)標(biāo)注如圖5-5的關(guān)斷時(shí)寄生二極管電流值曲線,圖5-5為一款NMOS。
當(dāng)我們以圖5-2中NMOS的使用方式作為開(kāi)關(guān),當(dāng)NMOS關(guān)斷時(shí),仍會(huì)有比較大的電流經(jīng)由Di從S流向N,實(shí)際上達(dá)不到開(kāi)關(guān)的效果,這就是為什么開(kāi)關(guān)場(chǎng)景仍以圖5-1的設(shè)計(jì)方式而不是圖5-2的方式。但這并不說(shuō)明圖5-2所示的使用方式完全沒(méi)有使用的意義,在一些特別的場(chǎng)景,比如防反接,這樣的使用方式就特別有用(后面會(huì)講到)。
圖5-3:某款功率NMOS寄生二極管過(guò)流和壓降
圖5-4:某款小信號(hào)NMOS寄生二極管過(guò)流和壓降
圖5-5:VGS=0V時(shí),作為源極-漏極電壓的函數(shù)的源極電流--典型值
€3.小結(jié)
兩種電流流向的選擇不僅影響G極驅(qū)動(dòng)的方式,也影響著是選擇高側(cè)還是低側(cè)開(kāi)關(guān),根據(jù)實(shí)際使用場(chǎng)景,合理選擇電流流向和驅(qū)動(dòng)方式,靈活使用。
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