首先,單片機的IO口帶有一定的負(fù)載能力,但電流很小,驅(qū)動能力有限,一般在10-20毫安以內(nèi),因此一般不采用單片機直接驅(qū)動負(fù)載的方式。
我們來簡單對比下三極管和MOS管驅(qū)動上的區(qū)別
三極管:
三極管是電流控制型,只要基極驅(qū)動電壓高于Ube的死區(qū)電壓,一般0.7V就可以導(dǎo)通。
對于三極管來說,3.3V肯定是大于Ube,可以根據(jù)IO口電壓以及限流電阻推算出基極電流(Ib=(VO-0.7V)/R2。),因此直接在基極串聯(lián)一個合適的電阻,讓三極管工作在飽和區(qū)就可以了。
處理器一般講究低功耗,供電電壓會比較低。
處理器一般講究低功耗,供電電壓會比較低。
因此一般單片機供電在3.3V,它的IO口最高電壓是3.3V。
MOS管:
MOS管是電壓控制型,驅(qū)動電壓必須高于閾值電壓Vgs才能正常導(dǎo)通,也就是說高于死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通。
不同的MOS管的閾值電壓是不一樣的,一般在3-5V左右。,而飽和驅(qū)動電壓在6-8V,大于IO口電壓的3.3V。
如果用3.3V來驅(qū)動的話,可能MOS管根本就打不開,或者處于半導(dǎo)通的狀態(tài)。半導(dǎo)通的狀態(tài)下,管子的內(nèi)阻會很大,如果驅(qū)動小,電流負(fù)載可以用,但是大電流負(fù)載就不允許了,內(nèi)阻太大,功耗也會很大,MOS管就容易燒毀。
因此,一般選IO口直接控制三極管,再去控制MOS管。
為什么要用三極管來驅(qū)動MOS管?
這是因為三極管的帶負(fù)載能力沒有MOS管的強,當(dāng)負(fù)載電流有要求時,就需要用MOS管來驅(qū)動了。
那可以直接驅(qū)動MOS管嗎?
上面已經(jīng)給出了解釋,不過不排除一些很小功率的MOS管可以進行操作。
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