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SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹
2023-06-25
SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無(wú)需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢(shì)。隨著 SiC M
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SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數(shù)的計(jì)算方法。首先根據(jù)波形
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SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析SiC MOSFET短路保護(hù)1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹
2023-06-21
MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)典型配置使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)可以采用許多不同的電路配置。很多時(shí)候，由于高的峰值電流、
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹
2023-06-20
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗對(duì)MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無(wú)論充放電過程快或慢（柵極電壓的上
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電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹
2023-06-20
電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹MOSFET體內(nèi)二極管MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影
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MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析MOSFET的靜電容量在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在
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MOSFET的開關(guān)及其溫度特性介紹
2023-06-17
MOSFET的開關(guān)及其溫度特性介紹關(guān)于MOSFET的開關(guān)時(shí)間柵極電壓ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開關(guān)時(shí)間。開關(guān)時(shí)間如表1所示種類
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電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹
2023-06-17
電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的
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MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹
2023-06-17
MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為：transit frequency(fT)
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MOS管各種泄漏電流的原因解析
2023-06-17
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了
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MOS管理想的開關(guān)特性,實(shí)用開關(guān)特性介紹
2023-06-16
MOS管理想的開關(guān)特性,實(shí)用開關(guān)特性介紹電子開關(guān)半導(dǎo)體開關(guān)是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之類的半導(dǎo)體器件通常作為開關(guān)操