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深圳市烜芯微科技有限公司
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析-MOS管驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)典設(shè)計(jì)大全
2019-08-19
MOS管,MOS管驅(qū)動(dòng)電路MOS管概述mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)
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SOT-223封裝尺寸外觀圖-三端穩(wěn)壓管選型表與引腳識(shí)別好壞判斷
2019-08-19
SOT-223封裝,三端穩(wěn)壓管SOT-223封裝尺寸及實(shí)物圖SOT-223封裝的三端穩(wěn)壓管型號表烜芯微科技SOT-223封裝的三端穩(wěn)壓管型號表SOT-223封裝 三端
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TO-263封裝尺寸與外形圖-TO-263封裝MOS管廠家及參數(shù)型號
2019-08-19
TO-263封裝,MOS管MOS管封裝說明MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷
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mos管規(guī)格書參數(shù)-MOS管規(guī)格書各個(gè)MOS參數(shù)
2019-08-19
mos管規(guī)格書參數(shù)詳解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之讀懂每一個(gè)mos管參數(shù)在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前，先來看看mos管的每一個(gè)參數(shù)代表什么及說明
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P溝道場效應(yīng)管特點(diǎn)與開關(guān)條件應(yīng)用解析
2019-08-19
P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，叫源極和漏極
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P溝道場效應(yīng)MOS管特點(diǎn)與開關(guān)條件應(yīng)用
2019-08-17
P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，叫源極和漏極
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大功率mos參數(shù)型號表與開關(guān)電路特性分析
2019-08-17
大功率mos參數(shù)表功率mos文中列出了烜芯微半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表，請查看下表。先了解一下功率mos，功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的
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開關(guān)電源mos管型號參數(shù)表-五種常用開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
2019-08-17
關(guān)電源mos管型號開關(guān)電源概述開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換
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功率因數(shù)校正電路工作原理-功率因數(shù)校正專用型號參數(shù)
2019-08-17
功率因數(shù)校正功率因數(shù)校正簡介PFC的英文全稱為Power Factor Correction，意思是功率因數(shù)校正，功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量（視在功
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P型MOS管-N型MOS管型號參數(shù)選型手冊
2019-08-17
P型MOS管P型MOS管概述P型MOS管是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩
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功率MOS管驅(qū)動(dòng)電路圖分析和功率MOS管保護(hù)電路設(shè)計(jì)解析
2019-08-16
功率MOS管,保護(hù)電路功率MOS概述與工作原理功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體）
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Cool-MOS原理結(jié)構(gòu)-制造方法與Cool-MOS的優(yōu)勢和問題
2019-08-16
Cool-MOS,Cool-MOS優(yōu)勢與問題Cool-MOS原理、結(jié)構(gòu)、制造方法概述（一）Cool-MOS原理對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想