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輸入阻抗高由于柵氧化膜與硅襯底絕緣,所以CMOS的輸入具有十分高的輸入阻抗。實(shí)踐的CMOS器件中,輸入級(jí)裝備有維護(hù)電路(維護(hù)二極管或維護(hù)MO
MOS管工作原理MOS管定義MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。其結(jié)構(gòu)示意圖:結(jié)構(gòu)示意圖解析1)溝道上面圖
詳解,N溝道MOS管和P溝道MOS管先講講MOS CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn):制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,
輸入維護(hù)電路當(dāng)器件加有過大的電壓或電流時(shí),器件會(huì)遭到損傷而導(dǎo)致性能劣化,嚴(yán)重時(shí)會(huì)被擊穿。這時(shí)芯片上的布線或器件的分離局部將會(huì)被毀壞
漏極電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此,所考慮的MOS晶體管的工作,都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時(shí)的狀況。當(dāng)VGS比VT大很多時(shí),在柵氧化膜
圖9 27示出普通的OP放大器的符號(hào)。理想的OP放大器中,輸入電壓與輸出電壓的關(guān)系是這里的Vdm是OP放大器的電壓增益。所以當(dāng)Vinp=Vinn時(shí),輸出
源極接地電路中的負(fù)載驅(qū)動(dòng)上一節(jié)討論的2級(jí)結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級(jí)是源極接地電路。現(xiàn)在討論這種2級(jí)結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)負(fù)載電阻的情況。
邏輯閾值電壓由于邏輯閾值電壓是式(10 1)中的-IDS與式(10 2)中的IDS相等時(shí)的電壓,所以應(yīng)用這個(gè)關(guān)系能夠求得Vin:假如KN=Kp,即KN KP=1,經(jīng)
普通狀況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極
MOS管的高頻小信號(hào)電容從MOS管的幾何構(gòu)造及工作原理能夠發(fā)現(xiàn),MOS管存在著多種電容,這會(huì)影響MOS管的高頻性能。依據(jù)MOS管的幾何構(gòu)造構(gòu)成的
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路。簡單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOSFET, 既Metal Oxide Semiconductor Field E
半導(dǎo)體金屬(例如鋁、銅和銀)都是很好的電導(dǎo)體,原子周期性規(guī)則排列。原子外層電子(價(jià)電子)可以在材料中自由移動(dòng)。由于原子的數(shù)量非常大