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MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關(guān)時間解析
2023-04-18
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關(guān)時間解析打開一個MOS管的SPEC，會有很多電氣參數(shù)，本文分析一下熱阻、電容和開關(guān)時間。熱阻，英文Thermal res
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PMOS設(shè)計反向電壓保護(hù)電路,原理介紹
2023-04-15
PMOS設(shè)計反向電壓保護(hù)電路,原理介紹直流系統(tǒng)中，比如汽車電子設(shè)計中，當(dāng)電池接反時，使用電池作為電源的電路可能會損壞，所以一般需要反向
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通過雙脈沖測試確認(rèn)MOSFET損耗解析
2023-04-15
通過雙脈沖測試確認(rèn)MOSFET損耗解析MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善（PFC）電路
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LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
2023-04-15
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹LED照明電路（臨界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照
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開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試中的重要作用介紹
2023-04-14
開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試中的重要作用介紹MOSFET IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。開關(guān)電源(SMPS)技術(shù)依托電源半導(dǎo)體開關(guān)設(shè)
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開關(guān)損耗測量中需要注意的問題分析
2023-04-14
開關(guān)損耗測量中需要注意的問題分析開關(guān)損耗測量中應(yīng)考慮哪些問題在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟
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驅(qū)動電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅(qū)動電路中的誤開通介紹驅(qū)動電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時，功
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驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免
2023-04-13
驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免避免驅(qū)動誤開通的方法門極電阻、電容法為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調(diào)整門極驅(qū)動的電阻和電容，如
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SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問題,誤開通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效
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MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算
2023-04-13
MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算在一些大電流的MOS管應(yīng)用電路中，功耗越大，意味著發(fā)熱越多，器件溫升就越高，這對于電路的穩(wěn)定工作而言是個
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小功率電源MOS管驅(qū)動電路設(shè)計圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅(qū)動電路設(shè)計圖文介紹MOS管驅(qū)動電路設(shè)計對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對
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SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖