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電源芯片溫升計(jì)算介紹
2023-01-03
電源芯片溫升計(jì)算介紹什么是芯片溫度？芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周圍（環(huán)境）溫度Ta與芯片發(fā)熱量相加后的
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半導(dǎo)體器件的結(jié)溫理解解析
2023-01-03
半導(dǎo)體器件的結(jié)溫理解解析結(jié)溫（Junction Temperature）結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼溫
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MOS管參數(shù),TJ,TA,TC的計(jì)算介紹
2023-01-02
MOS管參數(shù),TJ,TA,TC的計(jì)算介紹MOS管TJ、TA、TC一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗Rjc是結(jié)殼間的熱阻Rja表示結(jié)與環(huán)
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PMOS管作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng),開(kāi)關(guān)速度過(guò)快解析
2023-01-02
PMOS管作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng),開(kāi)關(guān)速度過(guò)快解析PMOS管用作電源開(kāi)關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開(kāi)關(guān)時(shí)因開(kāi)關(guān)速度過(guò)快導(dǎo)致電源被拉下。在電路中用到
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電源電路,PMOS防浪涌抑制電路解析
2023-01-02
電源電路,PMOS防浪涌抑制電路解析防浪涌抑制電路分析電路原理下圖是PMOS防浪涌電路的簡(jiǎn)化原理圖。首先說(shuō)為什么采用PMOS,因?yàn)樨?fù)壓開(kāi)通，可與
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以電路分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則介紹
2022-12-31
以電路分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則介紹開(kāi)關(guān)電源PCB Layout原則以同步整流BUCK電路為例分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則。首先分析工作原理，下文用SM指
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MOS管電路,usb保護(hù)電路圖介紹
2022-12-31
MOS管電路,usb保護(hù)電路圖介紹usb保護(hù)電路圖(一)圖2是NUP4114UPXV6為USB2 0高速數(shù)據(jù)應(yīng)用提供ESD保護(hù)的電路圖。USB控制器如果發(fā)生ESD瞬態(tài)事件
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MOS管防倒灌電路,防反接電路優(yōu)缺點(diǎn)介紹
2022-12-31
MOS管防倒灌電路,防反接電路優(yōu)缺點(diǎn)介紹典型電路1、電路1說(shuō)明：GND-IN 為電源接口的負(fù)極GND 為內(nèi)部電路的公共地原理分析正向接：V
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開(kāi)關(guān)電源電路,防雷擊,防浪涌電路介紹
2022-12-30
開(kāi)關(guān)電源電路,防雷擊,防浪涌電路介紹開(kāi)關(guān)電源，輸入保護(hù)電路很重要，開(kāi)關(guān)輸入保護(hù)電路具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)以及浪涌抑制等功能，對(duì)于電網(wǎng)
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SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析
2022-12-30
SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析SiC MOSFET的短路保護(hù)1 短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱
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ESD器件防護(hù)原理,性能參數(shù)介紹
2022-12-30
ESD器件防護(hù)原理,性能參數(shù)介紹ESD器件的主要性能參數(shù)1、最大工作電壓(Max Working Voltage)允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有
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PCB板常用的ESD保護(hù)電路,措施介紹
2022-12-29
PCB板常用的ESD保護(hù)電路,措施介紹人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損