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邏輯電路,CMOS門(mén)電路圖文介紹CMOS門(mén)電路MOS管電平較低的一端被認(rèn)為是源極。襯底和地相連。晶體管狀態(tài)由Vg控制。Vg為低電平--源極和漏極之間
電路設(shè)計(jì)為什么要加上,下拉電阻及作用介紹電路中加上拉電阻或下拉電阻的目的是確定某個(gè)狀態(tài)電路中的高電平或低電平。上、下拉電阻的作用提
數(shù)字電路,反相器基礎(chǔ)知識(shí)圖文介紹反相器是數(shù)字電路中最基本的門(mén)電路之一,由NMOS和PMOS組成。反相器的結(jié)構(gòu)反向器由NMOS和PMOS組成,柵端(G
TTL反相器特性介紹TTL反相器是TTL電路的基本環(huán)節(jié)。TTL集成邏輯門(mén)電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導(dǎo)體三極管,所以稱(chēng)晶體管—晶體管邏輯門(mén)電路
MOS管做電源開(kāi)關(guān)的經(jīng)驗(yàn)介紹一般的電源開(kāi)關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過(guò)以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn):1 管壓降較大我們知
MOS管開(kāi)關(guān)電路的經(jīng)典應(yīng)用介紹大家都知道MOS管屬于電壓控制型元器件。即在MOS管的柵極加上電壓時(shí),當(dāng)柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時(shí),MOS管即可
MOS管開(kāi)關(guān)對(duì)輸入端電源的影響詳解MOS管做開(kāi)關(guān)是一種常用的方式,在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管,或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常
增強(qiáng)型P溝道MOS管的開(kāi)關(guān)條件介紹P溝道MOS管作為開(kāi)關(guān)的條件(GS >GS(TH))1、P溝道m(xù)os管作為開(kāi)關(guān),柵源的閥值為-0 4V,當(dāng)柵源的電壓差為-
MOS管導(dǎo)通條件,過(guò)程,壓降,提高效率解析MOS管導(dǎo)通過(guò)程導(dǎo)通時(shí)序可分為tot1、t1t2、 t2~t3 、t3~t4四個(gè)時(shí)間段,這四個(gè)時(shí)間段有不同的等效電
利用MOS管實(shí)現(xiàn)主副電源自動(dòng)切換電路介紹主副電源自動(dòng)切換電路圖先看一下這個(gè)電路:USB外接電源與鋰電池自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)如果主副輸入電壓相
多節(jié)鋰電池串,并聯(lián)轉(zhuǎn)換電路圖介紹做一個(gè)電源電路設(shè)計(jì)的最初目的是想放電時(shí)使用高電壓,充電時(shí)使用低壓。(充電時(shí)不用拆電池,使用手機(jī)充電
三電源切換電路,雙電源切換電路詳解三電源切換電路電路描述1、Q1、Q2為NMOS,Q3、Q4和Q5為PMOS管,D1為二極管。2、BAT1和BAT2為電池,BAT2