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H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理圖介紹
2022-11-12
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理圖介紹什么是H橋？H橋是一個(gè)比較簡單的電路，通常它會包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如MOSFET）,它們通常用于驅(qū)動(dòng)電
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常用的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊實(shí)例解析
2022-11-12
常用的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊實(shí)例解析H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)例應(yīng)用實(shí)際使用的時(shí)候，用分立元件制作H橋是很麻煩的，市面上已經(jīng)有很多比較常用的IC方案，比
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PWM調(diào)速原理圖文解析
2022-11-11
PWM調(diào)速原理圖文解析什么是PWM？脈沖寬度調(diào)制(PWM)，是英文Pulse Width Modulation的縮寫，簡稱脈寬調(diào)制，是利用微處理器的數(shù)字輸出來對
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?4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理解析
2022-11-11
4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理解析全橋驅(qū)動(dòng)電路全橋電路在實(shí)際的項(xiàng)目中運(yùn)用的也比較多(比如電機(jī)，半導(dǎo)體制冷片等)，有時(shí)候全橋芯片會達(dá)不到我
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H橋驅(qū)動(dòng)模式,單極模式,雙極模式詳解
2022-11-11
H橋驅(qū)動(dòng)模式,單極模式,雙極模式詳解根據(jù)對橋臂上MOS的PWM控制方式不同，分為三種控制模式：受限單極模式、單極模式、雙極模式。受限單極模
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MOS管,MOS管參數(shù)μCox計(jì)算方法介紹
2022-11-10
MOS管,MOS管參數(shù)μCox計(jì)算方法介紹一、MOS管平方關(guān)系模型MOS管溝道飽和區(qū)電流ID（不考慮非理想效應(yīng))二、如何進(jìn)行仿真得到手算參數(shù)首先在
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MOS管的fT頻率解析
2022-11-10
MOS管的fT頻率解析MOSFET fT頻率分析MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。fT定義在MOS源極和漏極接交流
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RC阻容吸收計(jì)算公式與硬件設(shè)計(jì)介紹
2022-11-10
RC阻容吸收計(jì)算公式與硬件設(shè)計(jì)介紹阻容吸收器是一個(gè)頻敏元件，不同于壓敏元件(如避雷器)。其可以看作一個(gè)典型的串聯(lián)RC保護(hù)電路，R、C、L同
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RC吸收電路的設(shè)計(jì)介紹
2022-11-05
RC吸收電路的設(shè)計(jì)介紹PWM DC DC變換器中吸收電路的主要作用如下：將開關(guān)管的電壓、電流和功耗限制在安全工作區(qū)域（SOA）以內(nèi)。保證開關(guān)管
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MOS管RC緩沖電路參數(shù)計(jì)算介紹
2022-11-05
MOS管RC緩沖電路參數(shù)計(jì)算介紹在帶變壓器的開關(guān)電源拓?fù)渲?，開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分，同時(shí)，由
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MOSFET,消除推挽過沖解析
2022-11-05
MOSFET,消除推挽過沖解析無抑制時(shí)的漏極電壓圖1詳細(xì)列出了使用15V直流電源工作時(shí)，推挽式驅(qū)動(dòng)器的典型柵極驅(qū)動(dòng)電壓和漏極電壓波形。在推挽
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開關(guān)電源電感電壓波形過沖,下沖詳解
2022-11-04
開關(guān)電源電感電壓波形過沖,下沖詳解以同步降壓電路例子來講解：測量電感左端的電壓波形如圖所示。很明顯可以看到電壓尖刺。那么為什么會產(chǎn)