電路現(xiàn)象：PMOS斷開(kāi)后，輸出端Vout電壓先降低，后上升，再下降，隨即下電波形出現(xiàn)回溝。（由以下電路展開(kāi)）
以上為PMOS開(kāi)關(guān)仿真電路，其將負(fù)載換成了一個(gè)開(kāi)關(guān)電路，在改變負(fù)載以后，Vout的下電波形就不正常了，這是為什么呢？
PMOS從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí)，PMOS的阻抗會(huì)從接近0（導(dǎo)通），再到電阻無(wú)窮大（斷開(kāi)），這里會(huì)有一段過(guò)程，而PMOS會(huì)存在一定的阻值，負(fù)載也非恒定電阻。
在Vout下電過(guò)程中，負(fù)載獲得的電壓會(huì)下降到一定程度，隨后可能會(huì)因?yàn)榍穳和蝗煌Ｖ构ぷ?，所需要的電流?huì)急劇減小。
即其等效電阻突然變大，導(dǎo)致它獲得的分壓變大，這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)以上的情況，Vout電壓就漲上去了。也就是說(shuō)，Vout的電壓等于Vin在PMOS和負(fù)載上面的分壓，如果負(fù)載RL突然變大，那么就有可能出現(xiàn)Vout突然上漲的情況。
因此，當(dāng)PMOS從導(dǎo)通到關(guān)斷切換期間，PMOS的Vgs電壓等于其Vgsth，就出現(xiàn)了回溝。
那要如何解決這個(gè)問(wèn)題呢？有兩個(gè)選擇。
1、可以讓PMOS更快的關(guān)閉，例如將PMOS的g和s跨接的電容從100nF調(diào)整到10nF，回溝就基本沒(méi)有了。
2.在輸出端加一個(gè)濾波電容，避免負(fù)載等效RL突然變大。
這是因?yàn)樵黾右粋€(gè)濾波電容以后，等效負(fù)載會(huì)變成原本的RL和新增加電容阻抗的并聯(lián)。盡管原本的RL突然變大，由于有電容阻抗的存在，負(fù)載阻抗就不會(huì)超過(guò)電容的阻抗。
PMOS關(guān)斷的瞬間，過(guò)程是比較短暫的，信號(hào)可以當(dāng)作交流，因此電容在這不可以看成是 開(kāi)路，而是構(gòu)成總的阻抗的一部分。
只要電容值合理，基本是可以解決電容回溝問(wèn)題的。（如下圖）
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