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IGBT失效模式詳細解析
2023-05-23
IGBT失效模式詳細解析IGBT失效詳解失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，
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怎么降低MOSFET損耗
2023-05-22
怎么降低MOSFET損耗功率MOSFET應用中，功率損耗將導致熱產生，主要由通態(tài)損耗、開關損耗組成，這也是工程師在應用中主要針對優(yōu)化的地方。功
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CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析
2023-05-22
CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析溝道寬長比介紹本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集
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四種開關電路圖,NMOS,PMOS介紹
2023-05-22
四種開關電路圖,NMOS,PMOS介紹在電路設計過程中，有時需要獨立控制幾個開關的通與斷。例如構造某種波形。晶體管開關能夠實現(xiàn)一些開關的通與
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變頻器的四種控制方式介紹
2023-05-20
變頻器的四種控制方式介紹變頻器也稱為變頻驅動器或驅動控制器，是可調速驅動系統(tǒng)的一種，是應用變頻驅動技術改變交流電動機工作電壓的頻率
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解析開機延遲電路,MOS管多少V才能開啟
2023-05-20
解析開機延遲電路,MOS管多少V才能開啟本電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成當SW1沒有按下去的時候Q1柵極電壓為0V，Q1為截止狀
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負載開關,延時電路圖文解析
2023-05-20
負載開關,延時電路圖文解析延時電路延時電路一般用在對于上電時序有要求的電路以及負載開始（上電時）較大的電路而言。負載重例如較大的電
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電路設計,模擬電路實現(xiàn)延時功能介紹
2023-05-19
電路設計,模擬電路實現(xiàn)延時功能介紹模擬電路實現(xiàn)延時功能實現(xiàn)方式如下圖：一個電阻與一個穩(wěn)壓二極管相連，然后一個電容在它們連接處與它們
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電源管理,延遲上電設計介紹
2023-05-19
電源管理,延遲上電設計介紹上電順序電路中，不同的器件常常需要有不同的上電順序，比如有些FPGA需要先給3 3V的內核供電，至少20ms后才給5V
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開關瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析
2023-05-19
開關瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析開關瞬態(tài)分析建模圖 1 顯示了處于開關瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該
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MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹
2023-05-18
MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹MOSFET放大器信號放大為何放大：信號電壓太小，不易察覺信號功率太小，不能驅動負載傳輸過程中信
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TOLL封裝布局縮減30% 80V/240A XXW1808A
2023-05-18
TOLL封裝布局縮減30% 80V 240A XXW1808A烜芯微近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，